世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)技術(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商美國Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 贏得業(yè)界聲望卓著的《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》雜志2010年度創(chuàng)新獎(jiǎng)之最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)，其通過AEC-Q100 Grade 3標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證之1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V串行F-RAM存儲(chǔ)器FM25V10-G擊敗眾多競爭對(duì)手，獲評(píng)審小組和數(shù)千位《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》讀者評(píng)選為嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)器類別的最佳產(chǎn)品。
　
　　汽車電子委員會(huì)(AEC)集成電路應(yīng)力測(cè)試資格(Automotive Electronic Council’s Stress Test Qualification for Integrated Circuits)確定了嚴(yán)格的汽車級(jí)資格認(rèn)證。Ramtron公司專門針對(duì)汽車市場的苛刻要求，擴(kuò)大了符合AEC-Q100要求的存儲(chǔ)器陣容至15款產(chǎn)品。Grade-3資格認(rèn)證可以確保器件工作在-40 ℃到+85℃的汽車溫度范圍內(nèi)。
　
　　Ramtron公司全球市場推廣總監(jiān)徐夢(mèng)嵐稱：“FM25V10標(biāo)志著我們?nèi)萘孔畲蠓掀嚨燃?jí)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品出爐。在V系列產(chǎn)品線中增加達(dá)到Grade 3標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，使得我們能夠在4kb至1Mb的整個(gè)密度范圍內(nèi)，為汽車客戶提供高功效、高性能的非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品。”
　
　　去年，Ramtron的V系列產(chǎn)品獲得《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》雜志嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)器類別之優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。
　　
　　FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存儲(chǔ)器的成員，具有2.0V至3.6V 的寬工作電壓范圍。它是1Mb串行SPI器件，工作電流為3.0mA (40MHz下的Idd)，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝。FM25V10-G在40MHz 全總線速率下工作，具有無延遲 (NoDelay™)  寫入功能、幾乎無限的耐用性和低功耗等特點(diǎn)。該器件是汽車、工業(yè)控制、計(jì)量、醫(yī)療、軍事、游戲以及計(jì)算等應(yīng)用中，1兆位串行閃存和串行EEPROM 存儲(chǔ)器的普適型 (drop-in) 替代產(chǎn)品。
　
　　這次比賽的最終入圍產(chǎn)品由來自中國領(lǐng)先OEM廠商、學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)和大學(xué)，以及《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》雜志編輯委員會(huì)之業(yè)界專家組成的評(píng)審小組確定，《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》雜志讀者也作出投票。
　
　　徐夢(mèng)嵐稱：“ 我們很榮幸FM25V10贏得這一聲望卓著的獎(jiǎng)項(xiàng)，獲得中國電子設(shè)計(jì)社群和《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》雜志編輯及讀者的認(rèn)可。”
　
關(guān)于F-RAM V系列
　
　　Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品包括多種串口I2C存儲(chǔ)器、串口SPI存儲(chǔ)器和并口存儲(chǔ)器。V系列產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)更好的技術(shù)規(guī)格和更多的功能集。串口V系列產(chǎn)品備有可選的獨(dú)特的64位序列號(hào)，由一個(gè)16位客戶ID、一個(gè)40位制造序列號(hào)，以及需要獨(dú)特的電子編號(hào)的8位循環(huán)冗余碼系統(tǒng)校驗(yàn)所組成，提供了更高的安全性。