手機(jī)充電系統(tǒng)面臨的主要問題及應(yīng)對(duì)措施
手機(jī)充電系統(tǒng)面臨的主要問題有輸入過壓、如何兼容諾基亞適配器、不同要求的手機(jī)充電系統(tǒng)兼容設(shè)計(jì)以及手機(jī)充電系統(tǒng)外圍器件的布局及PCB布線考慮等。
輸入過壓及過壓保護(hù)
導(dǎo)致輸入過壓的原因有很多，如使用非穩(wěn)壓的或者不正確的適配器，某些國(guó)家的電網(wǎng)不穩(wěn)導(dǎo)致適配器的輸出電壓隨市電電壓變化、適配器熱插拔或負(fù)載瞬態(tài)變化時(shí)引起的瞬態(tài)過壓等。使用非穩(wěn)壓的或者不正確的適配器和適配器熱插拔時(shí)的瞬態(tài)是引起輸入過壓最常見的情況。
目前市場(chǎng)上常見的適配器根據(jù)特性可劃分為兩種：穩(wěn)壓適配器和非穩(wěn)壓適配器。穩(wěn)壓適配器的輸出電壓通過內(nèi)部電路提供非常優(yōu)秀的線性調(diào)整率(Line Regulation)和負(fù)載調(diào)整率(Load Regulation)，而非穩(wěn)壓適配器所提供的輸出電壓取決于負(fù)載。圖1為典型的非穩(wěn)壓適配器和穩(wěn)壓適配器的輸出電壓與負(fù)載的關(guān)系曲線圖。
圖1: 穩(wěn)壓與非穩(wěn)壓適配器的負(fù)載曲線圖。
而在適配器熱插拔時(shí)，也會(huì)出現(xiàn)瞬態(tài)的過壓電壓，由于適配器連接線的寄生電感效應(yīng)，熱插拔時(shí)會(huì)產(chǎn)生瞬態(tài)的輸出振蕩波形，經(jīng)過一段時(shí)間的衰減后會(huì)穩(wěn)定在DC值。圖2為5.5V適配器熱插拔時(shí)的瞬態(tài)波形，通常適配器熱插拔時(shí)產(chǎn)生的瞬態(tài)過壓峰值電壓是其DC值的兩倍左右。
圖2： 直流輸出為5.5V的AC適配器熱插拔時(shí)的瞬態(tài)過壓波形。
隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步，手機(jī)平臺(tái)的集成度和主頻越來越高，芯片面積越來越小，隨之帶來的問題是平臺(tái)芯片的耐壓也隨之降低。早期平臺(tái)的耐壓比較高，非穩(wěn)壓適配器的空載輸出電壓或者適配器熱插拔時(shí)的瞬態(tài)過壓手機(jī)平臺(tái)是可以承受的。而采用先進(jìn)工藝制程的手機(jī)平臺(tái)由于集成度高，耐壓低，前面所述的電壓直接加到手機(jī)平臺(tái)芯片上就有可能會(huì)引起芯片的損傷，所以采用先進(jìn)工藝制程的手機(jī)平臺(tái)就要求設(shè)計(jì)人員應(yīng)用時(shí)需要在適配器和手機(jī)平臺(tái)對(duì)應(yīng)的充電模塊之間增加一個(gè)輸入過壓保護(hù)(OVP)芯片，防止適配器輸出的過高電壓對(duì)手機(jī)平臺(tái)芯片產(chǎn)生損傷。例如MTK的早期手機(jī)平臺(tái)MT6305/5318、展訊的SC6600L的充電引腳最高可承受電壓為15V，高通的QSC6240/6270的充電引腳最高可承受電壓為18V，均不要求增加OVP芯片，而MTK的MT6223/6235/6238/6253由于充電引腳最高可承受電壓只有9V，所以就要求增加OVP芯片，以防止適配器的過高輸出電壓對(duì)手機(jī)平臺(tái)芯片產(chǎn)生損傷。
對(duì)于增加的OVP芯片，其可承受的最高耐壓只要和早期的幾個(gè)手機(jī)平臺(tái)芯片的耐壓相同就可以了，因?yàn)樵缙诘氖謾C(jī)平臺(tái)芯片已經(jīng)大批量出貨，在市場(chǎng)的長(zhǎng)期應(yīng)用驗(yàn)證了其耐壓的安全性和可靠性，所以對(duì)于增加的OVP芯片，其可承受的最高耐壓只要在15V以上就已經(jīng)足夠了。
出于充電時(shí)的安全考慮，手機(jī)平臺(tái)一般會(huì)限制充電電壓在7V以下，適配器輸出電壓高于7V若直接接到手機(jī)充電模塊是不允許充電的，另外由于國(guó)內(nèi)統(tǒng)一的充電接口標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施，適配器的DC輸出電壓大多集中在5～6V，針對(duì)國(guó)內(nèi)適配器的特點(diǎn)，OVP芯片主要是為了避免適配器熱插拔時(shí)的瞬態(tài)過沖對(duì)手機(jī)平臺(tái)芯片的累計(jì)性損傷。
圖3： 適用于國(guó)內(nèi)適配器的單芯片手機(jī)充電系統(tǒng)方案 。
而上海艾為的AW3206就是一款能滿足國(guó)內(nèi)手機(jī)充電系統(tǒng)要求的OVP芯片。AW3206的OVP保護(hù)電壓為6.8V，適用于適配器輸出電壓為5～6V的國(guó)內(nèi)手機(jī)充電系統(tǒng)。對(duì)于熱插拔的瞬態(tài)過壓，AW3206的100ns過壓保護(hù)反應(yīng)時(shí)間能確保手機(jī)充電系統(tǒng)的安全。AW3206高達(dá)±8KV(HBM)的ESD保護(hù)和±450mA的Latch-up保護(hù)都是增加手機(jī)充電系統(tǒng)的安全性和可靠性的有力基礎(chǔ)。
為了增加手機(jī)充電系統(tǒng)的安全性和可靠性，AW3206具有以下特點(diǎn)：
1、6.8V的輸入保護(hù)電壓，適用于適配器輸出電壓為5～6V的國(guó)內(nèi)手機(jī)充電系統(tǒng);
2、集成K-Charge技術(shù)的輸入限流保護(hù)，既能在芯片溫度低的時(shí)候保證比較大的充電電流，又能在芯片結(jié)溫太高時(shí)智能調(diào)整輸出電流來限制結(jié)溫，性能與安全兼顧;
3、集成具有防反灌功能的充電P-MOSFET，既節(jié)省成本，又可防止待機(jī)時(shí)電池電流反灌;
4、鋰離子電池過壓保護(hù)和過溫保護(hù)。
兼容諾基亞適配器的手機(jī)充電系統(tǒng)面臨的問題及應(yīng)對(duì)措施
根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner在今年的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，諾基亞在全球的市場(chǎng)占有率為34.2%，仍是手機(jī)中第一大巨頭，而且在某些新興市場(chǎng)國(guó)家諾基亞的市場(chǎng)占有率更高，比如IDC的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示諾基亞2009年底在印度的市場(chǎng)占有率高達(dá)54%。由于諾基亞手機(jī)的普遍性，諾基亞適配器也是唾手可得，所以可兼容Nokia適配器的充電系統(tǒng)是設(shè)計(jì)人員需要考慮的。
圖4： 諾基亞適配器AC-3C的輸出特性曲線。
但在標(biāo)準(zhǔn)的諾基亞適配器中，有很大一部分適配器的輸出電壓是高于7V的，圖3是諾基亞適配器AC-3C的輸出特性曲線，從圖中可以看出， AC-3C的輸出電壓在空載時(shí)為7.5V，而有的諾基亞充電器的輸出電壓會(huì)高達(dá)8～9V。為了適應(yīng)諾基亞適配器，曾有如圖5所示的用高壓LDO設(shè)計(jì)的手機(jī)充電系統(tǒng)方案：
圖5： 針對(duì)諾基亞適配器的手機(jī)充電系統(tǒng)方案。
但這個(gè)方案會(huì)有一些問題，首先高壓LDO由于工藝尺寸較大(為了承受高輸入電壓)，導(dǎo)通電阻RDS(ON)會(huì)比較大，諾基亞適配器的輸出電壓會(huì)隨輸出電流增大而逐漸降低，充電電流越大，輸出電壓越低，過大的LDO導(dǎo)通電阻會(huì)使電壓進(jìn)一步降低，而LDO后面的充電模塊也有一定的導(dǎo)通壓降，這樣就可能會(huì)有加到電池上的電壓太低而使電池充不滿的情況。另外LDO多采用SOT23-5L的封裝形式，高輸入電壓充電時(shí)在LDO內(nèi)部的功耗比較大，散熱會(huì)存在問題。沒有OVP保護(hù)功能、整個(gè)方案的占板面積大、成本高也都是這個(gè)方案的缺點(diǎn)，所以一個(gè)適用于諾基亞適配器的單芯片手機(jī)充電系統(tǒng)方案是設(shè)計(jì)人員迫切需要的。
圖6： 適用于諾基亞適配器的單芯片手機(jī)充電系統(tǒng)方案。
而上海艾為推出的降壓OVP——AW3208是專門針對(duì)諾基亞適配器推出的一款OVP芯片。AW3208的OVP電壓高達(dá)10.5V，對(duì)于輸出電壓在8～9V的諾基亞適配器，AW3208工作在降壓的LDO模式，輸出給手機(jī)平臺(tái)充電模塊的電壓為5.25V(CHRIN電壓)，保證手機(jī)平臺(tái)的充電模塊可以正常充電，而對(duì)于輸出電壓在5～6V的適配器，AW3208的輸出模式為直通模式，盡可能的減小導(dǎo)通壓降，即使使用輸出電壓比較低的適配器，也確保能把電池充滿。
對(duì)于輸出電壓比較高的適配器，工作在LDO模式的AW3208充電時(shí)內(nèi)部功耗會(huì)比較大，除了具備過溫保護(hù)功能和過流限流功能外，AW3208還集成了創(chuàng)新的K-Charge技術(shù)，充電時(shí)會(huì)持續(xù)監(jiān)測(cè)芯片的結(jié)溫，芯片結(jié)溫升高到一定值后若繼續(xù)升高，則芯片會(huì)減小輸出電流以限定芯片內(nèi)部功耗，盡量避免芯片結(jié)溫繼續(xù)升高至進(jìn)入反復(fù)的過熱保護(hù)狀態(tài)，從而解決不能充電或充電時(shí)間過長(zhǎng)的問題。
另外基于安全性和可靠性的考慮，AW3208具備AW3206具備的其他所有功能和特點(diǎn)。
針對(duì)不同應(yīng)用的手機(jī)充電系統(tǒng)兼容性設(shè)計(jì)考慮
針對(duì)不同的應(yīng)用，手機(jī)充電系統(tǒng)的要求是不同的，有時(shí)可能還是彼此矛盾的。比如為了適應(yīng)諾基亞適配器，需要OVP芯片的OVP電壓要高于9V。但在中國(guó)國(guó)內(nèi)，若適配器的輸出電壓過高的話，國(guó)內(nèi)的手機(jī)認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室的認(rèn)證要求手機(jī)充電系統(tǒng)不能充電而處于保護(hù)狀態(tài)。設(shè)計(jì)人員在面對(duì)這兩種矛盾的要求時(shí)，往往只能設(shè)計(jì)兩套不同的方案，如果有一種方案能同時(shí)兼容這兩種矛盾的要求，對(duì)設(shè)計(jì)人員來說這個(gè)方案無(wú)疑是最佳的一個(gè)方案。
由于AW3206和AW3208引腳分布完全相同，同時(shí)從應(yīng)用的角度來看，兩顆芯片只是OVP電壓不同，外圍器件和原理圖完全相同(見圖3和圖6)，而且對(duì)手機(jī)平臺(tái)來說，軟件控制也是完全相同，所以AW3206和AW3208剛好通過一個(gè)兼容設(shè)計(jì)來滿足上面的兩個(gè)矛盾的要求。
對(duì)于設(shè)計(jì)人員來說，設(shè)計(jì)手機(jī)充電系統(tǒng)時(shí)，可先按圖3或圖6設(shè)計(jì)好原理圖和PCB的Layout，設(shè)計(jì)好后只需更改BOM而不要更改PCB就可以滿足不同的要求了。
手機(jī)充電系統(tǒng)OVP芯片外圍器件的選取及PCB布局布線的一些考慮
1、 輸入電容和輸出電容的選取
AW3206和AW3208的輸入引腳ACIN到地需要一個(gè)不小于1uF的輸入電容。這個(gè)輸入電容除了去耦外，還可以有效減小適配器在熱插拔時(shí)由于連接線的寄生電感效應(yīng)產(chǎn)生的瞬態(tài)過沖電壓。另外這個(gè)電容建議選取耐壓不低于15V的X7R或X5R陶瓷電容。
AW3206和AW3208同樣在輸出引腳CHRIN到地需要一個(gè)輸出去耦合電容。這個(gè)電容對(duì)于AW3208尤其重要，因?yàn)檩敵鲭娙輰?duì)工作在LDO模式的AW3208的輸出穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用，缺少這個(gè)電容CHRIN引腳的輸出電壓將會(huì)有可能振蕩。這里推薦選取耐壓為6.3V，電容值不小于1uF的X7R或X5R陶瓷電容。
2、 PCB布局和布線的一些考慮和建議
PCB布局時(shí)需要考慮輸入引腳ACIN和輸出引腳CHRIN到地的輸入電容和輸出電容應(yīng)盡可能靠近ACIN和CHRIN引腳，電容的焊盤和引腳之間應(yīng)直接用一層走線，避免通過通孔用兩層走線。
PCB布線需要考慮從ACIN引腳至充電接口的走線、OUT引腳到采樣電流電阻的走線以及采樣電阻到電池的走線在滿足充電電流密度的基礎(chǔ)上盡量寬，盡可能的減小走線的寄生電阻。
為了獲得更好的散熱性能，AW3206/AW3208的散熱片應(yīng)和GND引腳一起直接連接到PCB的大面積鋪地層上，同時(shí)在散熱片下面的鋪地層再打上盡可能多的通孔，用通孔將所有鋪地層連接在一起，通過通孔和大面積的鋪地層減小熱阻，提高散熱性能。
總結(jié)
本文討論了手機(jī)充電系統(tǒng)中面臨的一些問題，并對(duì)這些問題提出了相應(yīng)的應(yīng)對(duì)措施，以幫助設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出能滿足更穩(wěn)定、更可靠要求的手機(jī)充電系統(tǒng)，使其產(chǎn)品能在眾多的產(chǎn)品中獨(dú)樹一幟，而不是“泯然眾人”