全球功率半導體" title="功率半導體">功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件" title="功率器件">功率器件技術(shù)平臺" title="技術(shù)平臺">技術(shù)平臺。與此前最先進的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。?

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開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。?

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IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換" title="電源轉(zhuǎn)換">電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面的經(jīng)驗，可使該技術(shù)平臺廣泛應用于AC-DC電源轉(zhuǎn)換器" title="電源轉(zhuǎn)換器">電源轉(zhuǎn)換器、DC - DC電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、照明系統(tǒng)及高密度音頻和汽車系統(tǒng)領(lǐng)域。其系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品組合和相關(guān)知識產(chǎn)權(quán) (IP) 遠遠超越了其他的領(lǐng)先分立功率器件。?

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高吞吐量、150毫米GaN器件及其制造工藝完全符合IR公司倡導的低成本高效益的芯片制造要求，為客戶提供世界一流的、可商業(yè)化的GaN功率器件制造平臺。?

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IR總裁兼首席執(zhí)行官Oleg Khaykin表示：“領(lǐng)先的GaN器件技術(shù)平臺和IP組合符合我們?yōu)榭蛻艄?jié)約能源的核心使命，進一步提升了IR公司在功率半導體器件領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，預示著電源轉(zhuǎn)換新紀元的到來。我們完全相信這種新器件技術(shù)平臺對電源轉(zhuǎn)換市場的潛在影響至少和30多年前IR推出的功率HEXFET^?電源一樣大。”?

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幾個新GaN器件產(chǎn)品平臺的原型將在2008年11月11日至14日于慕尼黑舉辦的Electronica電子貿(mào)易展上向主要原始設(shè)備制造商展示。?

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Khaykin 還表示：“我們認為，GaN器件產(chǎn)品平臺最早將在那些充分利用功率密度以及電源轉(zhuǎn)換效率和成本的關(guān)鍵特性價值實現(xiàn)革命性轉(zhuǎn)換能力的市場領(lǐng)域和設(shè)備中得以應用。”?

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IR簡介?

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國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅(qū)動高性能運算設(shè)備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。?