全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉換或充電泵電路，使其成為系統/負載開關應用非常理想的解決方案。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“相比上一代產品，這個新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著改善了電流處理能力，更為客戶提供廣泛的導通電阻選擇，以適應他們對溫度和成本的要求。同時，P 溝道技術也可以簡化電路設計。”
P 溝道 MOSFET器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 標準，所采用的材料不含鉛，且符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。
產品規格
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器件編號 |
封裝 |
BV (V) |
最大Vgs (V) |
10V下的 典型/ 最大 RDS(on) (mΩ) |
4.5V下的 典型/ 最大 RDS(on) (mΩ) |
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IRF9310 |
SO-8 |
-30 |
20 |
3.9 / 4.6 |
5.8 / 6.8 |
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IRF9317 |
SO-8 |
-30 |
20 |
5.4 / 6.6 |
8.3 / 10.2 |
|
IRF9321 |
SO-8 |
-30 |
20 |
5.9 / 7.2 |
9.3 / 11.2 |
|
IRF9328 |
SO-8 |
-30 |
20 |
10.0 / 11.9 |
16.1 / 19.7 |
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IRF9332 |
SO-8 |
-30 |
20 |
13.6 / 17.5 |
22.5 / 28.1 |
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IRF9333 |
SO-8 |
-30 |
20 |
15.6 / 19.4 |
25.6 / 32.5 |
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IRF9335 |
SO-8 |
-30 |
20 |
48 / 59 |
83 / 110 |
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IRF9362 |
SO-8 (dual) |
-30 |
20 |
17.0 / 21.0 |
25.7 / 32 |
新器件現已接受訂單，數據和應用說明已刊登于 IR 的網站 http://www.irf.com。
專利和商標
IR是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱 IR，紐約證交所代號 IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ，是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。
IR 成立于 1947 年，總部設在美國洛杉磯，在二十個國家設有辦事處。IR 全球網站：www.irf.com，中國網站：www.irf.com.cn。