設計參數(shù)對射頻SOI開關功率承受能力影響研究
電子技術應用
劉張李
上海華虹宏力半導體制造有限公司
摘要： 通過比較分析研究射頻開關管寬度與堆疊級數(shù)變化和柵極與體區(qū)偏置電阻對射頻開關性能的影響，主要包括前兩級射頻開關管寬度、不同級數(shù)射頻開關管寬度、逐步變化射頻開關管寬度和偏置電阻等設計參數(shù)，對射頻開關插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響。研究結果為射頻開關電路設計提供參考。
中圖分類號：TN432 文獻標志碼：A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.246218
中文引用格式： 劉張李. 設計參數(shù)對射頻SOI開關功率承受能力影響研究[J]. 電子技術應用，2025，51(9)：30-34.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(9)：30-34.
中文引用格式： 劉張李. 設計參數(shù)對射頻SOI開關功率承受能力影響研究[J]. 電子技術應用，2025，51(9)：30-34.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(9)：30-34.
Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch
Liu Zhangli
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation
Abstract： The effects of design parameter on power handling capability of radio-frequency silicon-on-insulator (RF SOI) switch were comprehensively investigated in this work, including the width of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) under different stack, and the Gate/Body bias resistance. The impacts of larger 1st/2nd stage MOSFET width, larger N stage MOSFET width, gradual change MOSFET width and different Gate/Body bias resistance on RF switch insertion loss, isolation and power handling capability were discussed in detail. The result can be reference as RF switch circuit design.
Key words : RF switch；power handling capability；bias resistance；MOSFET width
引言
射頻SOI(Silicon-On-Insulator)開關具有低插入損耗、高隔離度、高線性度和高功率處理能力，基本上已完全替代GaAs，成為射頻開關主流產(chǎn)品。文獻[1-7]研究了不同設計SOI射頻開關性能。文獻[8]研究大功率模式下襯底網(wǎng)絡模型對大信號建模的影響，并給出了SOI襯底橫向電阻電容網(wǎng)絡和縱向電阻電容網(wǎng)絡的建模方法，主要研究對象為SOI襯底。文獻[9]研究了首兩級在柵極與漏極增加電容對射頻開關處理能力的影響。文獻[10]研究了不同設計參數(shù)對SOI射頻開關小信號的影響。從已有參考文獻來看，系統(tǒng)分析射頻開關管寬度和偏置電阻大小等設計參數(shù)對射頻開關功率承受能力影響鮮有報道。
本文詳細內(nèi)容請下載：
http://www.jysgc.com/resource/share/2000006683
作者信息：
劉張李
（上海華虹宏力半導體制造有限公司，上海 201203）
此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng)，未經(jīng)授權禁止轉載。