4 月 8 日消息，據(jù)美國(guó)政府官方聲明，臺(tái)積電已與美國(guó)商務(wù)部達(dá)成不具束縛力的初步諒解備忘錄。

臺(tái)積電方面將在亞利桑那州鳳凰城建設(shè)第三座在美晶圓廠，而美國(guó)政府方面將根據(jù)《芯片法案》向臺(tái)積電的三座工廠提供至多 66 億美元（當(dāng)前約 477.84 億元人民幣）的直接資金補(bǔ)貼。

除直接補(bǔ)貼外，美國(guó)政府還計(jì)劃根據(jù)初步協(xié)議為臺(tái)積電的晶圓廠建設(shè)提供約 50 億美元（當(dāng)前約 362 億元人民幣）的貸款。

臺(tái)積電也在準(zhǔn)備向美國(guó)財(cái)政部申請(qǐng)相當(dāng)于認(rèn)證資本支出 25% 的投資稅收抵免。

臺(tái)積電方面承諾將在本十年底前建設(shè)第三座晶圓廠，進(jìn)而在亞利桑那州打造一個(gè)前沿半導(dǎo)體集群。

臺(tái)積電在美的整體投資將超 650 億美元（當(dāng)前約 4706 億元人民幣），可在十年間為亞利桑那州當(dāng)?shù)貏?chuàng)造 6000 個(gè)直接工作崗位和數(shù)以萬計(jì)的間接崗位，此外還有累計(jì)超 20000 個(gè)的相關(guān)建筑業(yè)崗位。

美方還計(jì)劃將 5000 萬美元的《芯片法案》資金用于當(dāng)?shù)亟ㄖ桶雽?dǎo)體行業(yè)勞動(dòng)力的培訓(xùn)和發(fā)展。

臺(tái)積電表示其第一座在美晶圓廠將提供 4nm FinFET 產(chǎn)能，目標(biāo) 2025 年上半年啟動(dòng)量產(chǎn)；而其第二座在美晶圓廠將在 3nm 工藝外再引入 2nm GAA 工藝；未來的第三座晶圓廠則將根據(jù)用戶需求提供 2nm 乃至更先進(jìn)的制程。

此前英特爾也與美國(guó)商務(wù)部簽署了類似的諒解備忘錄，涉及至多 85 億美元直接補(bǔ)貼和 110 億美元貸款。