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啟智未來 測試為先TIF2023泰克創新論壇圓滿落幕,6大關鍵詞概括領先測試方案

2023-07-13
來源:泰克科技

  中國北京,2023年7月6日—— 泰克科技以“啟智未來、測試為先”的TIF2023年度大會日前圓滿落幕,本次大會探討了未來科技發展的趨勢和前沿技術,并展示了最新的技術和測試測量解決方案,分享了公司未來的發展戰略和愿景。

  新一輪科技革命和產業變革蓬勃發展,泰克從未停止創新步伐。顛覆性的科技突破也許百年才得一遇,持續性的迭代創新則以日進一寸的累積改變著日常生活。從先進材料、研發生產、智造到應用的全產業鏈各個環節中,處處可見泰克的身影。泰克在三代半導體領域為客戶提供豐富的晶圓參數測試、芯片參數測試、可靠性測試等各個領域的解決方案,并積極與本土廠商合作,為國內客戶提供本土化技術解決方案。同時,泰克聚焦智能座艙、自動駕駛和汽車三電領域,為客戶提供安全、可靠和高效的智慧出行測試解決方案等等。

  圍繞半導體晶圓級測試、汽車電動化智能化測試,聚焦6大關鍵詞,囊括了泰克近兩年的領先測試解決方案。

  碳未來,汽車電動化和智能化趨勢加速

  碳未來——在國家“雙碳”戰略下,汽車電動化和智能化趨勢加速,截至2022年新能源汽車滲透率已經超過25%。泰克致力于成為智能汽車測試的領跑者,走在行業發展趨勢前沿,聚焦智能座艙、自動駕駛和汽車三電領域,持續投入和專注于智能汽車測試的關鍵測試點,為客戶提供安全、可靠和高效的智慧出行測試解決方案。

  關鍵詞1:芯能量

  ——800V電驅系統整車實現難點及未來發展趨勢

  在國家“雙碳”戰略下,油電切換提速,截至2022年新能源汽車滲透率已經超過25%,但里程焦慮和充電速度慢的問題依然困擾著行業發展,基于SiC為代表的三代半導體功率器件而開發的800V超充架構給行業指明了新的發展方向。討論熱點包括:

  • 800V電驅系統的整車實現及需求特點

  • 未來800V系統發展趨勢

  • 800V架構下所面臨的相關測試挑戰(EMC測試、短路測試及串擾等)

  關鍵詞2:芯挑戰

  ——800V架構下SiC測試挑戰

  新能源汽車800V新架構發展趨勢下,SiC已經成為必需選擇的新型功率器件,泰克帶您從測試的角度來看寬禁帶技術帶來的諸多挑戰,例如:

  • 如何篩選不同廠家的SiC器件及必要性

  • 如何解決目前寬禁帶器件應用測試和驅動測試的難題

  • 如何能充分發揮SiC器件的性能等

  泰克針對性的測試解決方案覆蓋了從半導體材料、生產、可靠性、到電源設計應用的全流程,幫助客戶用好寬禁帶技術,推動社會進步。

  關鍵詞3:芯速度

  ——智能網聯汽車高速總線應用測試

  智能網聯汽車的核心是新一代電子電氣架構,在新的架構下高速總線的應用越來越廣泛,如何準確的測試和評估這些高速總線也變得愈發有挑戰。在此章節,您不僅可以了解到泰克針對以下車載高速總線應用的對應解決方案,還可以了解到泰克在實際場景中的一些應用案例分享:

  • 車載以太網1000BASE-T1測試方案

  • MIPI D-PHY及C-PHY傳感接口測試方案

  • PCIe Gen4/5外設接口及車內SERDES測試方案等

  此外,泰克還可提供各類高速接口的測試建議和白皮書以及豐富的調試工具,幫助工程師加速了解掌握各類高速接口測試、應對復雜車載環境、建立自主測試和驗證能力,助力新一代電子電氣平臺在智能網聯汽車的不斷升級。

  第三代半導體,解決客戶功率器件表征的疑難問題

  關鍵詞4:晶圓級測試

  為晶圓級測試領域提供整體性解決方案,降低客戶成本以提高競爭力。PT-930 可用于12寸、8寸晶圓的全自動探針臺,來自矽電-泰克先進半導體晶圓測試聯合實驗室。

  • 支持最高3000V/100A的高壓及大電流測試

  • 探針系統測試漏電流<100pA@1000V

  • 支持高溫測試,溫度可達200°C

  • 靜態測試最高電壓3000V,動態測試最高電壓2000V

  • 支持鐵環,藍膜,華夫盒,Tap Reel等進出料方式

  關鍵詞5:動態參數測試

  DPT1000A 半導體功率器件動態參數測試系統專門用于針對三代半導體功率器件的動態特性分析測試,旨在解決客戶在功率器件動態特性表征中常見的疑難問題。

  • 定制化系統設計 , 豐富的硬件配置和高靈活性的驅動電

  • 自動化測試軟件,可以自動配置參數,測試和生成數據報告

  • 高帶寬/高分辨率測試設備 , 在高速開關條件下準確表征功率器件

  • 覆蓋高/中/低壓、pmos、GaN 等不同類型,不同封裝芯片測試

  • 可以提供單脈沖、雙脈沖、反向恢復、Qg等測試功能

  關鍵詞6:動靜態綜合老化測試

  HTXB-1000D 功率器件動靜態綜合老化測試系統,用于批量SiC/GaN 器件老化測試,研究其典型參數在不同壓力條件下的變化特性,幫助客戶了解器件可靠性相關信息并表征老化特性。

  • 可并行進行最多80片SiC/GaN器件的動態老化測試

  • 可替換的多種老化夾具,可以適配不同封裝器件的測試要求

  • 靜態電壓最高1200V,動態測試電壓最高1000V

  • 可以進行1000 小時以上的連續測試

  •  實時保存測試結果,并自動生成測試報告

  目前,八個地區的活動注冊均已開放。2023 TIF 課程屆時將開啟遠程在線直播,注冊即可免費參會?;顒右曨l及相關資源將一直開放至本日歷年結束,為注冊參會人員提供一個可以持續訪問的資源庫,促進其在電子行業的職業發展。



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