第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。GaN 是一種 III/V 直接帶隙半導體，通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領域。具體而言，微波射頻方向包含了 5G 通信、雷達預警、衛星通訊等應用;電力電子方向包括了智能電網、高速軌道交通、新能源汽 車、消費電子等應用;光電子方向包括了 LED、激光器、光電探測器等應用。

射頻：5G 基站、雷達——GaN 射頻器件大有可為

自20年前出現首批商業產品以來，GaN 已成為射頻功率應用中 LDMOS 和 GaAs 的重要競爭對手，其性能和可靠性不斷提高且成本不斷降低。第一批 GaN-on-SiC 和 GaN-on-Si 器件幾乎同時出現，但 GaN-on-SiC 技術更加成熟。目前在射頻 GaN 市場上占主導地位的 GaN-on-SiC 突破了 4G LTE 無線基礎設施市場，并有望在5G的Sub-6GHz實施方案的 RRH(Remote Radio Head)中進行部署。

在常用半導體工藝中，CMOS 低功耗、高集成度、低成本等優勢顯著。SiGe 工藝兼容性優勢突出，幾乎能 與硅半導體超大規模集成電路行業中的所有新工藝技術兼容。GaAs 在高功率傳輸領域具有優異的物理性能。GaN 在高溫、高頻、大功率射頻組件應用獨具優勢。基于功耗和成本等因素，消費終端產品明顯更多采用CMOS 技術;CPE 采用 CMOS 和 SiGe BiCMOS;低功耗接入點則采用CMOS、SiGe BiCMOS和GaAs;而高功率基站領域則是GaAs和GaN的天下。

GaN 非常適合毫米波領域所需的高頻和寬帶寬，可滿足性能和小尺寸要求。使用 mmWave 頻段的應用將 需要高度定向的波束成形技術，這意味著射頻子系統將需要大量有源元件來驅動相對緊湊的孔徑。GaN 非常適合這些應用，因為小尺寸封裝的強大性能是 GaN 最顯著的特征之一。

在高功率放大器方面，LDMOS 技術由于其低頻限制只在高射頻功率方面取得了很小進展。GaAs 技術能夠 在 100GHz 以上工作，但其低導熱率和工作電壓限制了其輸出功率水平。50V GaN/SiC 技術在高頻下可提供數百瓦的輸出功率，并能提供雷達系統所需的堅固性和可靠性。HV GaN/SiC 能夠實現更高的功率，同時可顯著降低射頻功率晶體管的數量、系統復雜性和總成本。

射頻：射頻氮化鎵市場快速增長

RF GaN市場在過去幾年中經歷了令人矚目的增長，并已經改變了RF功率行業。大多數Sub 6GHz 的蜂窩網絡都將采用氮化鎵器件，因為 LDMOS 無法承受如此之高的頻率，而砷化鎵對于高功率應用又非理想之選。同時，由于較高的頻率會降低每個基站的覆蓋范圍，需要安裝更多的晶體管，因此市場規模將迅速擴大。GaN器件收入目前占整個市場20%左右，到2025年預計將占到50%以上。根據Yole數據，2017年RF GaN市場規模約3.8億美元，預計2023年達13億美元，主要應用領域為無線基礎設施、國防軍工、有線電視系統等。

隨著新的基于 GaN 的有源電子掃描陣列(AESA)雷達系統的實施，基于 GaN 的軍用雷達預計將主導 GaN軍事市場，從 2018 年的 2.7 億美元增長至 2024 年的 9.77 億美元，CAGR 達 23.91%，具有很大的增長潛力。GaN 無線基礎設施的市場規模將從 2018 年的 3.04 億美元增長至 2024 年的 7.52 億美元，CAGR 達 16.3%。GaN有線寬帶市場規模從 2018 年的 1,550 萬美元增長至 2024 年的 6,500 萬美元，CAGR 達 26.99%。GaN 射頻功率市場規模從 2018 年的 200 萬美元增長至 2024 年的 10,460 萬美元，CAGR 達 93.38%，具有很大的成長空間。