先進的封裝技術通常不在頂級芯片制造商的榜首，但英特爾正在將這一領域定義為幫助該公司避免摩爾定律的緊迫影響的關鍵之一。

　　強調封裝的作用是有充分理由的，推動組件級別的創新可以帶來異構性，連接性和帶寬的增加，同時降低功耗。在這個領域，英特爾一直比其他方面更加努力，問題在于我們對此了解不多。

　　在過去的十多年中，英特爾開發了許多技術來讓經濟和技術挑戰并駕齊驅，在接下來的幾年中，這一問題將更加明顯。許多最重要的發展都在互連層。如果我們看一下英特爾已經開發的這一領域的技術，那么一切都有選擇。例如，已經有10多年的EMIB了，并且可以進行本地連接。對于高密度連接，它們還可以卷入硅中介層。借助Foveros之類的技術，他們還可以進行堆疊，并具有3D和2D的附加功能，可以將這些3D和2D縫合在一起以創建放大和橫向擴展的架構，更不用說全向互連的功能了。

　　在此范圍內，芯片行業總體上也做出了幾個關鍵的決定。從線路板到空中互連；從陶瓷到銅/有機物；從含鉛焊料到無鉛焊料的過渡；從 pin-grid到line-grid。所有這些更廣泛的技術都是在Ravi Mahajan在英特爾任職期間開發的，首先是在熱機械方面，然后在2000年進入互連，恰好又一次重要的轉變-促使英特爾在2000年代初開發EMIB的技術：從串行轉到并行上來。這為我們今天擁有的各種高密度互連打開了大門。

　　現在，作為Pathfinding小組的Intel研究員，Mahajan通過與DARPA，DoD和其他希望了解將要求越來越高的性能和更高性能的系統的未來發展的小組一起，在組件級別上探討潛在的可能性和局限性。對于Mahajan來說，并行路徑是已知的，但會變得更加曲折。“在廣泛和緩慢的并行與串行問題中，已經有很多想法。并行鏈接中的一個限制因素是我們需要復雜的封裝，并且必須擔心產量和成本。但是，如果您能將所有這些工作結合在一起，則可以以更低的功耗提供更高的帶寬，更低的延遲互連。” Mahajan說。

　　有趣的是，高密度的挑戰只有在異構時代才變得更加緊迫，即整合平衡行為。從一開始就獲得越來越多的設備來獲得最終的電源效率和性能并不是一件容易的事，雖然Mahajan說即將出現的有前途的技術，但他只能看到2050年的產品范圍。

　　一些人提出5nm可能是路途的盡頭。樂觀主義者說3nm。而Mahajan絕對處于樂觀陣營。

　　“如果您說這些互連的重點是每一代將帶寬增加一倍，那么我們仍然處于第一代和第二代之間。我們至少還有三代的發展。從概念上講，每一代都可以持續兩到三年。那至少給了我們10-15年的時間。” 他補充說，從產品的角度來看，“直到2060年，我們才會用盡汽油。即使到那時，我們可能也會在位縮放方面用盡，但在縮放功能方面不會用完—我們可以繼續添加Lego塊并構建更復雜的結構，前提是產量是掌握之中。”

　　“在全局視圖中，我們在不同的硅工藝上實現并優化了不同的IP，并將它們綁定在一起。最終結果必須表現得盡可能接近SoC。我們專注于弄清楚如何以緊湊的方式開發將這些芯片連接到封裝上的互連，該互連可以通過干凈的電源進行冷卻，并且組件之間的封裝上互連和離開封裝的互連不會限制性能。”

　　空中密度的提高是Mahajan和團隊的游戲名稱，但隨著我們的不斷縮小，即使這種能力也已枯竭。他說，他們有足夠的前途證明，他們知道如何過渡到純銅互連，可以創建3D堆棧并使用EMIB型連接進行連接。

　　到達2050年（或2030年）是在包括熱管理和電力輸送在內的技術領域中逐步采取的措施，但最終將由成本來承擔。

　　“在散熱方面，我們將必須格外注意，以確保我們能夠管理持續的進步。您帶來了不同類型的芯片，將它們的溫度保持在最佳水平，并進行集成，使它們更接近。當被問及研發承諾即將到來時，Mahajan說：”我們可以改善材料，并研究如何散發熱量并帶走熱量。“ 此外，隨著所有不同裸片的電源傳輸網絡整合在一起，這些架構將需要更加智能的設計。

　　延長2050年的時間表意味著在不犧牲性能，通信或成本的情況下實現了以上所有創新。那么英特爾（或其他芯片制造商）如何才能在這種最大的限制下繼續擴展？

　　”這很難預測，“ Mahajan說。”但是，英特爾開展業務的方式是提高良率并采取漸進措施以保持密度的不斷提高。很難預測我們何時會耗盡經濟動力或基礎設施，但我們已經看到了足夠的工作來告訴我們，我們仍有很大的發展空間。“ 他補充說，重點是產量和規模。

　　”如果規模能夠帶來成本優勢，而收益則可以使您更好地工作，那么這兩件事將使我們不斷前進。我們可以通過專注于工程來控制成本。但是技術將擁有更多的支撐，而不是成本。“