日前，市場分析機構Yole Développement 發布了2020年第四季度復合半導體季度市場監測報告。據報告預測，截至2025年，GaN RF3器件市場整體規模將超過20億美元。Yole進一步指出，在2019年至2025年間，GaN RF的 CAGR為12%。而這一市場的發展動力來自電信和國防應用。

　　Yole化合物半導體監測團隊的技術與市場分析師Ahmed Ben Slimane博士稱：“在充滿活力的5G基礎設施市場中，追求更高效天線類型的競賽從未停止。從RRH向AAS的技術轉型將把射頻前端技術從少數高功率射頻產品線變為大量低功率射頻產品線”。

　　同時，在Sub-6GHz和毫米波頻段部署的更高頻率促使各OEM尋找帶寬更大、效率更高、熱管理更好的新型天線技術平臺。在此背景下，氮化鎵技術在射頻功率應用中已構成對LDMOS8和砷化鎵的真正競爭，它的性能和可靠性都在持續提升，可能實現系統級的成本降低。

　　繼GaN-on-SiC對4G LTE電信基礎設施市場的滲透之后，這項技術在5G sub-6Hz RRH的實施中也有望保持強勢地位。然而，在5G sub6Ghz AAS的新興細分市場——大型MIMO部署中，氮化鎵和LDMOS之間的競爭仍在繼續。盡管具有成本效益的LDMOS技術在sub-6GHz頻段的高頻性能方面持續取得顯著進展，但 GaN-on-SiC能帶來出色的帶寬、PAE和功率輸出。

　　但Yole表示，在電信基礎設施中，美國對華為的相關制裁在2019年延緩了基于GaN的RRH市場發展，并促使OEMs在接下來的幾年重組供應鏈。盡管如此，GaN 的長期部署仍將保持不變。

　　在AAS中，帶寬的增加將有利于GaN的應用。未來幾年中GaN在小型基站和回程連接中也將有頗為引人矚目的部署。

　　在軍事應用中，政府為提升國家安全而替換基于TWT的系統，這方面的投資使得國防仍將是GaN射頻市場的主要推動力之一。“雷達是軍事應用中的一大動力，這主要是由于基于GaN的新型AESA系統中 T/R 模塊的增加和對空中飛行系統中輕型期間的嚴苛要求”，Yole的技術與市場分析師Ahmed Ben Slimane 博士詳細解釋道，他補充說：“GaN射頻軍用市場將以22%的CAGR 增長，其總價值將在2025年超過11億美元。”

　　對于手持設備，GaN的高性能和較小的外型封裝可能會吸引OEM。是否采用GaN PA將取決于GaN的技術成熟度、供應鏈、成本，以及OEM的策略在接下來五年中的變化。

　　Yole還分享了對市場當前動態和未來演變的看法。

　　在談GaN RF的同時，Yole還對GaAs RF的未來做了預測。按照他們提供的數據，射頻砷化鎵裸片市場規模將從2019年的28億美元左右增值2025年的36億美元以上。驅動該市場增長的是手機應用領域對5G和 WiFi 6的需求增加。

　　Yole指出，隨著每部手機上的PA含量不斷增加，手機市場已成為砷化鎵器件發展的一大動力。

　　一般來說，4G LTE手機需要覆蓋多個頻段，因此每部手機上就需要越來越多的 PA。5G技術對PA的需求量至少是4G對PA的需求量的2倍。此外，對線性度和功率的嚴格要求使砷化鎵成為射頻FEM中PA材料的理想選擇。

　　他們指出，盡管CMOS能令每個芯片的成本更低，但在模塊層面和性能方面，它不一定比GaAs更具優勢。

　　“對于提高移動設備的連接性，Wi-Fi 6從2019年開始進入市場”，Yole化合物半導體與新興材料業務部的技術與市場分析師Poshun Chiu解釋道。他補充說：“一些OEM推出了支持Wi-Fi 6的新機型：2019年第一季度三星的Galaxy S10、2019年第三季度蘋果的iPhone11，以及在2020年第一季度，小米成為了首家擁有Wi-Fi 6技術的中國手機公司。與傳統解決方案相比，GaAs解決方案以其在線性度和高功率輸出方面的表現越來越受到人們的關注。”