隨著全球制造業向中國的轉移，我國功率半導體市場占世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場。但IGBT產品嚴重依賴進口，在中高端領域更是90%以上的IGBT器件依賴進口，IGBT國產化需求已是刻不容緩。
一、技術差距縮小+成本優勢凸顯成趨勢
從全產業鏈看，IGBT的前期資本開支大，中期制造良品率重要，后面市場開拓需要培育，壁壘極高。
量產經驗與裝車量方面，英飛凌等海外巨頭量產經驗豐富，國內市場比亞迪憑借自身品牌電動車穩定應用場景具備獨有優勢。
自第六代技術以后，各大廠商開始將精力轉移到IGBT封裝上。在IGBT封裝材料方面，日本在全球遙遙領先，德國和美國處于跟隨態勢，我國的材料科學則相對落后。
伴隨國內企業8寸晶圓產線先后投產，良率逐步提升，國產IGBT有望較此前采購英飛凌等巨頭晶圓價格大幅下降。
二、國內企業在IGBT布局進入加速模式
國內廠商發展具有自身優勢，從需求端講，中國功率半導體需求量世界第一;從供給端講，自主可控是發展趨勢。
今年4月底，比亞迪IGBT項目已在長沙開工建設，該項目建成后可年產25萬片8英寸新能源汽車電子芯，可滿足年裝車50萬輛的產能需求。
此外，其他廠商也在加快IGBT的產能建設，斯達半導新能源汽車用IGBT模塊擴產項目投產后可年產120萬個新能源汽車用IGBT模塊。
中車時代電氣已完成第一條投資10億元的IGBT生產線產能釋放，第二條投資35億元的生產線預計2020年底開始試生產，產值可達40-50億元。
華虹半導體7月31日宣布，其8+12英寸大功率半導體產線將全面發力，積極承接IGBT代工業務。
賽晶電力電子一期產能將于2021年初建成投產，計劃不晚于2024年形成200萬件IGBT模塊產能。
華潤微發布的2020年半年度報告顯示，公司目前在研項目共13項，其中包括IGBT產品設計及工藝技術研發。
三、IGBT技術與壁壘成攻堅難點
IGBT制造難度大，具有極高的技術壁壘，中國功率半導體市場約占世界市場份額50%，但是中高端的MOSFET、IGBT主流器件市場基本被歐美、日本企業壟斷。
國內IGBT技術(芯片設計、晶圓制造、模塊封裝)目前均處于起步階段。國內IGBT企業在研發與制造工藝上與世界先進水平差距較大。
因此，行業內的后來者往往需要經歷一段較長的技術摸索和積累，才能和業內已經占據技術優勢的企業相抗衡。
高鐵、智能電網、新能源與高壓變頻器等領域所采用的IGBT模塊規格在6500V以上，技術壁壘較強;
而IGBT技術集成度高的特點又導致了較高的市場集中度，因此英飛凌、三菱和富士電機等國際廠商占有天然的市場優勢，這讓國內廠商的發展再失一個機會。
加上IGBT行業存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難，國內企業在產業化的進程中始終進展緩慢。
IGBT模塊是下游產品中的關鍵部件，其性能表現、穩定性和可靠性對下游客戶來說至關重要，因此認證周期較長，替換成本高。
因此，新進入本行業者即使研發生產出IGBT產品，也需要耗費較長時間才能贏得客戶的認可。
四、國內產能無法實現供求平衡
但是相比于國內暴增的IGBT市場需求，國內IGBT市場的產量卻無法與之實現供求平衡。
除了供需無法平衡，現有產量無法滿足火熱的市場需求以外，技術也是國產IGBT的另一大硬傷。
隨著軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域的加速發展，國內IGBT需求迎來爆發，近幾年國內IGBT市場規模呈加速增長趨勢。
電動乘用車依據配置不同，IGBT單車價值量高達1000-5000元，2020年全球空間接近百億元，伴隨全球電動車產銷快速增長，預計行業2025年空間有望達370億，CAGR約+30%。
新能源汽車補貼退坡，電驅企業與主機廠面臨降本壓力，國產IGBT價格優勢明顯。
面對IGBT需求大增，行業內公司產能擴大及時：比亞迪開放車規級IGBT產品閉環供應鏈，建設長沙比亞迪IGBT4.0工廠，以滿足公司外供IGBT的需求。
五、進口依賴短期難動搖
逆變器，變流器以及其它光伏、風電技術裝置均離不開IGBT器件，近年來，雖然光伏發電、風力發電邁向國際前沿，產業鏈整體國產化，但其核心功率器件IGBT仍是依賴進口，依存度達90%。
盡管后來變流器開始國產化，但核心器件IGBT仍是以進口為主，以德國、日本居多。
對于風電行業來講，國產IGBT發展需要一個培養期。不能等到國產產品成熟了，我們才開始使用它，否則不利于國產IGBT的成長。
IGBT作為電動化核心部件，進入壁壘高，目前國產化率低，供應長期被歐美日企業壟斷。隨著IGBT技術趨勢成熟，國內企業快速發展，已經逐步批量應用于電動車，長期有望逐步實現國產替代。