11月2日，據外媒報道，華為正計劃在上海建設一家不使用美國技術的芯片工廠。該報告稱，華為的目標是在2021年年底前為“物聯網”設備生產28納米，到2022年為5G電信設備生產20納米。

　　該報告稱，華為沒有芯片制造經驗，該工廠將由上海市政府支持的上海集成電路研發中心有限公司（國際復興開發銀行）運營。

　　據悉，該工廠將從低端45納米芯片開始做起，目標明年底之前實現28納米芯片制造，2022年底之前升級到用于5G電信設備的20納米芯片。而45納米工藝曾在10年前用于生產蘋果iPhone 4所用的A4芯片。目前華為Mate 40系列已搭載5納米麒麟9000芯片。

　　受禁令影響，華為高端手機芯片已斷供。為了解決芯片危機，華為曾考慮尋找替代方案。但是，目前中國內地規模最大的芯片制造商中芯國際最先進的工藝是14納米，和最前沿的5納米工藝相比還有很大差距，長遠來看，并不能滿足華為的需求。更嚴峻的是，近日中芯國際也遭到美國封鎖，部分供應商向中芯國際供貨被加強管制，未獲許可不得供貨。

　　來自美國金融咨詢機構 Bernstein Research 的半導體分析師 Mark Li 認為，華為有可能實現這個芯片自產計劃，但大概需要兩年時間。

　　Mark Li 還表示，雖然華為制造移動基站所需的芯片理想情況下應采用 14nm 或更先進的工藝技術，但使用 28nm 是可能的。他表示：華為可以彌補軟件和系統方面的不足。與海外競爭對手相比，中國生產商可以容忍更高的成本和運營效率低下。

　　至于這一計劃的實施，Mark Li 認為，這樣一個設施很可能是由來自不同中國供應商的設備組合而成，比如 AMEC 和 Naura，再加上一些它們可以在市場上找到的二手外國工具。

　　據內人士的說法，華為計劃最終在其國內生產設備上完全配備中國制造的機器，但有分析師指出，這一目標尚需數年時間。

　　據官網介紹，上海集成電路研發中心有限公司（ICRD）成立于2002年，ICRD由中國集成電路相關企業集團和高校聯合投資組建而成。上海集成電路研發中心位于上海市張江高科技園區，地理位置毗鄰華力微電子和中芯國際。ICRD建有中國12英寸開放式集成電路先進工藝研發和裝備材料試驗平臺，凈化面積超過3000平方米，研發環境及管理系統和大生產線完全匹配，可實現硅片無沾污進出和工藝流程無縫銜接，加快了技術研發和驗證速度。