Intel在SEMICON West上公布未來應用于Chiplet的幾個黑科技, 大概率又是一個農(nóng)企率先引入然后被牙膏發(fā)揚光大的東西
Co-EMIB
結(jié)合了EMIB芯片間的Bumps和Foveros芯片3D堆疊技術(shù), 結(jié)果就是以后在出現(xiàn)夸張密度的同時擁有低能耗高帶寬
官方視頻可以很好地幫助理解整個流程 https://www.youtube.com/watch?v=NZ8t2zdTo2c
ODI (Omni-Directional Interconnect)
這項新技術(shù)說白了就是將上面EMIB和Foveros堆疊的概念引入Chiplet和Die內(nèi)部, 有Type 1, Type 2和Type 2特例三種配置方式
它能給堆疊上部芯片帶來更充足的供電, 降低芯片和基板之間的延遲, 同時提升帶寬, 目前還屬于研發(fā)階段
同樣也有官方視頻 https://www.youtube.com/watch?v=JZt4rqzGuHs
MDIO
Die/Chiplet之間的協(xié)議接口, 用來取代目前的AIB(Advanced Interface Bus)協(xié)議, Intel聲稱和TSMC上月公布的LIPINCON水平相當
下面是2020年可以看到的10nm Chiplets晶圓和芯片實物, 這還只是開始, 人家已經(jīng)開始考慮2030年的設(shè)計了...
想象一下2個28C Die+8個HBM Stacks
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。