電信和國(guó)防應(yīng)用推動(dòng)射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Développement調(diào)查指出，RF GaN產(chǎn)業(yè)于2017~2023年間的年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到23%。隨著工業(yè)不斷地發(fā)展，截至2017年底，RF GaN市場(chǎng)產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元，2023年將達(dá)到13億美元以上。
目前國(guó)防仍是RF GaN的主要市場(chǎng)，因?yàn)槠鋵?zhuān)業(yè)化的高性能需求和價(jià)格敏感度(Price Sensitivity)較低，因而為以GaN為基底的產(chǎn)品提供了許多機(jī)會(huì)。2017~2018年，國(guó)防部門(mén)占了RF GaN市場(chǎng)總量的35％以上，完全沒(méi)有減少的趨勢(shì)。Yole Développement資深技術(shù)與市場(chǎng)分析師Hong Lin表示，我們相信這個(gè)重要的GaN市場(chǎng)將持續(xù)與GaN的整體滲透力一起成長(zhǎng)。
RF GaN已經(jīng)被工業(yè)公司認(rèn)可，并明顯地成為主流。領(lǐng)先的參與者正快速地增加收入，這種趨勢(shì)在未來(lái)的幾年內(nèi)將保持不變。從知識(shí)產(chǎn)權(quán)的角度來(lái)看，美國(guó)和日本主導(dǎo)著整個(gè)RF GaN知識(shí)產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)。
Knowmade執(zhí)行長(zhǎng)兼聯(lián)合創(chuàng)始人Nicolas Baron評(píng)論，科銳(Cree)毫無(wú)疑問(wèn)地?fù)碛凶顝?qiáng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位，尤其是以碳化矽(SiC)為基底的GaN高電子遷移率電晶體(High-electron- mobility transistor, HEMT) 。住友電氣工業(yè)雖是RF GaN設(shè)備的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，仍落后于Cree。此外，住友電氣工業(yè)的專(zhuān)利活動(dòng)放慢了腳步，然而富士通()、東芝()和三菱電機(jī)()等其他日本公司正在加快他們的專(zhuān)利申請(qǐng)，因此現(xiàn)在也擁有強(qiáng)大的專(zhuān)利組合。
Baron進(jìn)一步說(shuō)明， Cree也在RF GaN HEMT知識(shí)產(chǎn)權(quán)的競(jìng)賽中處于領(lǐng)先地位。針對(duì)Cree的RF GaN專(zhuān)利組合分析顯示，它可以有效地限制該領(lǐng)域的專(zhuān)利活動(dòng)并控制大部分關(guān)鍵國(guó)家其他企業(yè)的FTO(Freedom to Operate, FTO)。
另一方面，英特爾和全科科技目前也十分積極進(jìn)行RF GaN專(zhuān)利申請(qǐng)，尤其是在GaN-on-Silicon技術(shù)方面，如今已成為RF GaN專(zhuān)利領(lǐng)域的主要知識(shí)產(chǎn)權(quán)挑戰(zhàn)者。參與RF GaN市場(chǎng)的其他公司，如Qorvo、雷神、諾格(Northrop Grumman)、恩智浦(NXP)和英飛凌(Infineon)，同樣擁有一些關(guān)鍵專(zhuān)利，但未必?fù)碛袕?qiáng)大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位。
Yole Développement指出，剛進(jìn)入GaN HEMT專(zhuān)利領(lǐng)域的英特爾，目前是最活躍的專(zhuān)利申請(qǐng)人，且應(yīng)該會(huì)在未來(lái)幾年加強(qiáng)其知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位，特別是對(duì)于GaN-on-Silicon技術(shù)。其余GaN RF HEMT相關(guān)專(zhuān)利領(lǐng)域的新進(jìn)入者，主要包含中國(guó)企業(yè)海威華、三安光電和北京華進(jìn)創(chuàng)維電子；而其他值得注意的新進(jìn)入者包括臺(tái)灣的臺(tái)積電和聯(lián)穎光電，韓國(guó)的Wavice和Gigalane，日本的愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試，以及美國(guó)的全科科技和安森美半導(dǎo)體。
另外，中國(guó)電子科技集團(tuán)和西安電子科技大學(xué)針對(duì)RF GaN在微波和毫米波的應(yīng)用技術(shù)，領(lǐng)導(dǎo)了中國(guó)的專(zhuān)利領(lǐng)域。三年前進(jìn)入知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域的新興代工廠海威華是當(dāng)今中國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的最強(qiáng)挑戰(zhàn)者；然而，美國(guó)和日本公司依舊在RF GaN 知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域中發(fā)揮關(guān)鍵作用。