三星電子(Samsung Electronics)2014年5月領先全球，宣布量產堆疊32層3D NAND，日前業界傳出消息，指大陸長江存儲有望將于2018年10月，開始小量生產堆疊32層3D NAND，這表示大陸3D NAND與韓國的技術差距，恐怕僅剩4年左右！

過去三星3D NAND，是從堆疊24層、32層、48層，至目前堆疊64層，SK海力士(SK Hynix)2015年從堆疊32層開始，一路發展至目前的堆疊72層。反觀成立不到2年的長江存儲，3D NAND加速追趕韓廠，如以堆疊層數而言，恐怕僅落后韓廠3~4年。

韓媒首爾經濟指出，LCD面板可視為韓國存儲體的前車之鑒。過去韓國LCD面板廠商三星顯示器(Samsung Display)及樂金顯示器(LG Display；LGD)，曾經叱吒業界多年，如今隨著大陸產能不斷開出，韓國LCD面板也只能無奈，加速轉進OLED面板。

韓國半導體業界相關人士表示，大陸半導體正快速崛起中，韓國目前恐怕僅剩3~5年黃金救援時間。以外銷結構而言，韓國半導體的處境，恐怕更加不樂觀。

根據韓國貿協公布的資料，2018年截至5月止，韓國銷往大陸的半導體累積金額為209億美元，占全體半導體外銷金額的41.8%。目前大陸半導體自制率約14%，2025年政策目標為70%。換句話說，大陸扶植半導體的政策目標一旦達成，韓國半導體產業將受到巨大沖擊。業界人士進一步指出，就算韓國廠商沒有減產，大陸廠商一旦進入存儲體產業，就會開始造成市占率重新洗牌，韓國恐無法避免市占率下滑。

除了看得到的市占率下滑威脅，韓國業界專家則是指出，當大陸廠商投入量產后，就會以此為基礎，快速展開技術追趕，一旦經過2~3年的技術潛伏期，大陸半導體產業就可能出現跳躍式成長。

為了達成半導體自制率70%的政策目標，大陸半導體廠商大量挖角韓國、臺灣等地人才。紐約時報最近在一篇報導中就指出，長江存儲與三星的芯片根本是同一種產品，推測成立近2年的長江存儲之所以進步神速，主因在于大量挖角三星半導體人才。

盡管沒有正式的統計資料，韓國業界粗估最近數年間，從韓國到大陸半導體業界工作的人數已超過1,000人，除了已在韓國企業工作一段時間的高端管理者，也包括剛從韓國大學畢業的新鮮人。

長期而言，韓國存儲體產業的競爭力將面臨大陸崛起考驗，扶植系統半導體的聲音，盡管總是不絕于耳，但韓國系統半導體的存在感仍顯低落。根據韓國業界人士的估算，韓國應用處理器(AP)、影像傳感器等非存儲體半導體，市占率僅3%左右。

根據市調廠商的資料，系統半導體中的移動AP，三星市占率為11%，落后高通(38%)、聯發科(26%)及蘋果(14%)。近來三星雖試圖強化晶圓代工，但仍然無法追趕臺積電過半市占率，排名仍居第四，SK海力士晶圓代工排名，更是落居10名之外。

相較歐美廠商積極尋求因應對策，如發展次時代半導體技術，面對大陸的崛起，韓國似乎仍安于現狀。未來隨著大陸存儲體正式量產，韓國恐怕首先得迎接價格波動與下滑的沖擊。

2017年的存儲體，可說是過了繁榮的一年。2018年受市場強勁需求支撐，價格起伏并不大。然而到了2019年，當大陸存儲體正式進入市場，情況或許截然不同。

根據市調機構的資料，2018年5月底的DDR4 8Gb現貨價格為8.6美元，相較2017年12月底的9.6美元，半年來價格逐漸下滑，但是相較2年多前的3美元，DRAM榮景其實已持續一段時間。

另外，2018年5月底256Gb NAND Flash現貨價格為13.4美元，相較2017年12月底的14.1美元，6個月以來也是每月下滑。盡管半導體制造商與需求端，多采固定合約價格進行交易，然現貨價格走勢，仍可視為一種先行指標，從中推測未來合約價格走勢。

其實相較2017年，近來DRAM及NAND Flash合約價格僅小幅升。例如，6月底PC DRAM DDR4 4G合約價格為3.94美元，這個價格已維持了3個月不變。另外，6月底NAND Flash 128Gb合約價格為5.6美元，這個價格也從2017年9月底之后，就沒有任何改變，2017年8月底合約價格5.78美元，成為近1年多來的最高點。

韓國業界預測，2018年下半受到市場強勁需求支撐，DRAM與NAND Flash價格不致于出現太大跌勢，然而2019年上半，當大陸廠商正式進入市場后，存儲體價格很可能會開始出現較明顯波動。