日前，據(jù)彭博社報道稱，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團日前作出一項裁決，三星電子因侵犯韓國技術學院(Korea Advanced Institute of Science and Technology，簡稱KAIST)一項專利技術，為此需向后者支付高達4億美元的賠償。
據(jù)悉，韓國技術學院曾發(fā)起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(FinFET)制程工藝相關的專利技術。三星起初對韓國技術學院的研究不屑一顧，認為該技術只是一種潮流技術。但在其對手——英特爾公司開始向這項技術的發(fā)明者取得許可授權時，圍繞三星是否侵權的力量博弈發(fā)生了改變。隨著芯片產品制程的縮小，鰭片晶體管技術能夠提高芯片性能，同時降低芯片功耗。
作為全球最大的芯片制造商，三星向陪審團表示，它與韓國技術學院合作開發(fā)了這項技術，并否認侵犯了相關專利技術。三星還對這項專利的有效性提出了質疑。
三星的這一侵權行為被裁定為“故意為之”，或“有意為之”，這意味著法官可以將三星所需支付的賠償金額增加到陪審團規(guī)定的三倍。
這項技術被認為是生產智能手機處理器的關鍵。GlobalFoundries和三星利用了這一技術來制造芯片。而作為最大的手機芯片制造商，高通則是兩家公司的客戶。上述公司對此判決提出了聯(lián)合辯護。
這一事件標志著韓國頂級研究型科學與工程機構——韓國技術學院與三星這家對該國經濟至關重要的公司之間展開的沖突。雙方律師均拒絕對判決發(fā)表評論。
不止三星，高通、格芯也是被告
南韓科學技術院（KAIST）專利管理子公司KAIST IP 于2016年11 月30 日向德州聯(lián)邦地方法院提起專利侵權訴訟，控告三星電子、高通（Qualcomm）和格芯（GlobalFoundries）擅自盜用其所擁有的「FinFET」技術專利，要求支付專利使用費。
KAIST IP 指出，「長期以來持續(xù)和三星就支付使用費一事進行協(xié)商，不過三星全面拒絕，導致協(xié)商破裂。且除了三星、高通和格羅方格之外，今后也計劃對臺灣臺積電、蘋果（Apple ）提告」。
KAIST旗下智財權管理機構KAIST IP美國分公司表示，最初三星對有關FinFet技術的研究不屑一顧，認為這只是種短暫流行的趨勢。但在英特爾（intel）開始授權相關技術專利并投入開發(fā)產品后，三星的態(tài)度丕變。
按照KAIST的說法，三星是在邀請FinFET技術開發(fā)者、首爾大學教授李鐘浩(Lee Jong-ho)向公司工程師展示FinFET技術原理時盜取了這項技術。李鐘浩是KAIST合伙人之一。
“三星在分文未花的情況下盜取了李鐘浩的發(fā)明，從而削減了開發(fā)時間和成本。隨后，三星在沒有取得授權或支付適當賠償金的情況下繼續(xù)使用李鐘浩的發(fā)明，”KAIST稱。
KAIST IP還表示，三星、格羅方格、臺積電使用FinFET 技術生產、販售手機芯片，但卻不支付使用費。三星、格羅方格供應芯片給高通，臺積電則幫蘋果生產iPhone 用芯片。
被告專利信息
南韓專利智財管理公司KAIST IP US是KAIST IP在美國設立之子公司，該公司隸屬于韓國科學技術研究院（KAIST）是為促進所開發(fā)的知識產權和技術而成立。KAIST成立于1971年由南韓政府設立，是韓國第一個研究型科學與工程機構，目前擁有超過9000名學生和1100名教授研究員，在全球擁有超過3,300項注冊專利。同時，KAIST是南韓的研究型大學，與首爾國立大學、高麗大學、延世大學和成均館大學，并列為南韓前五大大學。
本案系爭專利US6885055 (Double-gate FinFET device and fabricating method thereof)，有關于鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術。原專利權人Lee Jong-Ho是首爾國立大學電子工程系教授，后于2016.07.20將專利權轉移給KAIST IP CO., LTD，后又于2016.08.10轉給旗下美國子公司KAIST IP US LLC ，以便在美國法院主張專利權進行訴訟。
公開號US6885055 B2
申請書編號US 10/358,981
發(fā)布日期2005年4月26日
申請日期2003年2月4日
優(yōu)先權日期2003年2月4日
其他公開專利號US20040150029
發(fā)明人Jong-ho Lee (李鐘浩)
原專利權人Lee Jong-Ho
目前專利權人KAIST IP US LLC
近幾年來，半導體最熱門的討論就是「FinFET」技術，被認為是目前高性能手機中重要的核心技術之一，且已被多家廠商采用，例如：iPhone 6s內新一代A9應用處理器采用新晶體管架構很可能為鰭式晶體管（FinFET），還有三星電子Galaxy系列在內的10多款手機都使用了FinFET。代表FinFET開始全面攻占手機處理器、三星與臺積電較勁，將10納米FinFET正式納入開發(fā)藍圖、聯(lián)電攜ARM完成14納米FinFET制程測試。
更先進3D FinFET由美國加州大學伯克萊分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor等三位教授發(fā)明了「鰭式場效晶體管（Fin Field Effect Transistor，F(xiàn)inFET）」，把原本2D構造的MOSFET改為3D的FinFET，因為構造很像魚鰭，因此稱為「鰭式（Fin）」。
值得一提的是，這個技術的發(fā)明人胡正明教授，就是梁孟松的博士論文指導教授，換句話說，梁孟松是這個技術的核心人物之一，臺積電沒有重用梁孟松來研發(fā)這個技術，致使他跳糟到三星電子，讓三星電子的FinFET制程技術在短短數(shù)年間突飛猛進趕上臺灣，這才是臺灣半導體晶圓代工產業(yè)最大的危機。
KAIST IP聲稱，其FinFET專利技術已獲英特爾(Intel)采用，該技術發(fā)明人李鐘浩說：三星曾與他討論過該FinFET技術，之后就盜用該技術。所以主張，三星及格羅方德侵犯該公司的「FinFET」專利技術，之后三星、格羅方格以14納米FinFET制程技術供應芯片給高通，因此高通成為被告。
臺積電則以16納米FinFET制程幫蘋果生產iPhone用芯片。據(jù)韓媒報導，KAIST已經計畫在搜集證據(jù)后，準備向臺積電提起訴訟。臺積電內部認為，三大半導體都拒絕支付專利費用給KAIST，顯見三家半導體廠都具備自主研發(fā)的FinFET技術。