上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）作為全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠，在上海擁有3條200mm生產(chǎn)線，月產(chǎn)能約17萬片，工藝節(jié)點覆蓋1.0微米至90納米，200mm晶圓制造能力在中國名列前茅。其前身為久負盛名的上海華虹NEC和上海宏力半導(dǎo)體，作為“909”工程的載體，華虹宏力的發(fā)展可謂中國晶圓代工的一面旗幟。近日，華虹宏力執(zhí)行副總裁范恒先生表示，“在嵌入式非易失性存儲器、電源管理、功率器件、標準邏輯及射頻（RF）、模擬和混合信號等領(lǐng)域，華虹宏力已形成頗具競爭力的先進工藝平臺。現(xiàn)在，除了繼續(xù)鞏固上述領(lǐng)先的特色工藝，我們還有足夠的能力在差異化需求中找到新的高成長市場，公司在物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、綠色能源等應(yīng)用領(lǐng)域重點突進，持續(xù)創(chuàng)造新的利潤增長點。”
據(jù)范恒先生介紹，從現(xiàn)有營收情況看，以智能卡和微控制器（MCU）應(yīng)用為主的嵌入式非易失性存儲器工藝平臺的銷售額占比超過公司年營收的三分之一。為此，華虹宏力在保持智能卡市場競爭優(yōu)勢的同時，也在積極深入更多前景向好、適合公司未來發(fā)展的新興市場。現(xiàn)在公司已經(jīng)積極布局物聯(lián)網(wǎng)引領(lǐng)的MCU市場，同時，功率半導(dǎo)體和高壓器件也是華虹宏力主要的業(yè)務(wù)增長點。
穩(wěn)固嵌入式存儲器及功率器件技術(shù)優(yōu)勢
華虹宏力擁有業(yè)界領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲器技術(shù)，包括SONOS Flash和SuperFlash技術(shù)，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻兩個衍生工藝平臺。還可為客戶提供高性能、高密度的標準單元庫，并可根據(jù)客戶需求定制高速度、低功耗、超低靜態(tài)功耗的嵌入式閃存（Flash）IP、嵌入式電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）IP。華虹宏力是世界第一大智能卡IC代工廠，采用公司eNVM技術(shù)制造的金融IC卡芯片產(chǎn)品分別通過了EMVCo、CC EAL5+、萬事達CQM認證等多項國際權(quán)威認證。隨著90納米eNVM工藝的成功量產(chǎn)，華虹宏力的智能卡產(chǎn)能正逐步導(dǎo)入到90納米平臺。
萬物互聯(lián)時代，MCU不斷推陳出新，為順應(yīng)市場需求，華虹宏力專為物聯(lián)網(wǎng)打造了0.11微米超低漏電（ULL）嵌入式eFlash及eEEPROM工藝平臺，將eNVM技術(shù)與CMOS射頻集成及/或高壓技術(shù)結(jié)合。響應(yīng)市場對高性價比的呼喚，華虹宏力還推出了95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器，包括eFlash、eEEPROM、OTP工藝平臺，助力客戶在龐大的MCU應(yīng)用市場提高競爭力。此外，公司還在加速研發(fā)95納米的低本高效MTP（Multiple-Time Programming）工藝平臺。
在生產(chǎn)功率器件方面，華虹宏力擁有15年的歷史，是業(yè)內(nèi)首個擁有深溝槽超級結(jié)（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及場截止型IGBT（Field Stop，F(xiàn)S IGBT）工藝平臺的200mm晶圓代工廠。高效能的功率半導(dǎo)體器件是降低功耗的關(guān)鍵，已引起了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的矚目，華虹宏力的布局不可謂不充分。“我們致力于為客戶提供更高端的功率器件技術(shù)解決方案，公司現(xiàn)已推出第三代DT-SJ工藝平臺，每單元區(qū)域?qū)娮瑁≧sp）為1.2ohm.mm2，技術(shù)參數(shù)達業(yè)界一流水平。”范恒先生說，“華虹宏力還是國內(nèi)唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠，能為綠色能源應(yīng)用提供從低功率到高功率的全系列解決方案。”目前，華虹宏力的功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。
深度拓展射頻和電源管理IC市場
RF SOI是絕緣體上硅（SOI）技術(shù)的RF版本，該工藝利用了內(nèi)置隔離襯底的高電阻率特性。RF SOI在應(yīng)用上有幾個比較明顯的優(yōu)勢，一是它的設(shè)計周期短，且簡單易用。最主要的是它能做到較低功耗。現(xiàn)在，智能手機、WiFi等無線通信設(shè)備中的射頻器件絕大多數(shù)都使用了RF SOI制造工藝。華虹宏力推出的0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計套件（PDK），非常利于工程師提高設(shè)計流程效率，從而快速獲得優(yōu)質(zhì)的射頻組件，縮短了產(chǎn)品上市時間。范恒先生表示：“接下來公司還將繼續(xù)開發(fā)射頻相關(guān)技術(shù)，如0.13微米射頻SOI，以應(yīng)對智能手機出貨量的持續(xù)增長及未來5G移動通信的發(fā)展及應(yīng)用。”
華虹宏力已引入全面電源管理IC解決方案，可提供久經(jīng)驗證的CMOS模擬和更高集成度的BCD/CDMOS工藝平臺。其技術(shù)涵蓋1微米到0.13微米，電壓范圍覆蓋1.8V~700V，性能卓越、質(zhì)量可靠，廣泛用于PMIC、快速充電、手機/平板電腦PMU以及智能電表等領(lǐng)域。華虹宏力還是國內(nèi)出貨量最大的LED驅(qū)動IC代工廠。目前，第二代BCD700V工藝平臺也正處于戰(zhàn)略準備階段，將在原先基礎(chǔ)上減少2層光罩 ，并優(yōu)化DMOS性能，相信會更好地服務(wù)客戶與電源管理IC市場。
華虹宏力是一個技術(shù)積淀深厚又有遠大抱負的企業(yè)，不僅在現(xiàn)有的優(yōu)勢領(lǐng)域穩(wěn)扎穩(wěn)打，還將眼光投射到更長遠的未來。憑借多年的技術(shù)積累，他們已經(jīng)在競爭激烈的市場中敏銳地找尋到更適合自己的技術(shù)特點、更具前景的發(fā)展方向。最重要的是，他們已將這一切付諸實施。