本次鑒定會由中國電子學會組織，西安電子科技大學的郝躍院士擔任鑒定會主任，中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯(lián)盟、中電集團五十五所、電子科技大學、北京大學、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、中科院電工所和中科院物理所等各單位專家擔任鑒定會委員。鑒定委員會認真聽取了項目完成單位關于該成果的研制報告、技術報告、用戶使用報告及經(jīng)濟效益和社會效益分析報告，審閱了查新報告、測試報告和資料審查報告等相關技術資料。
“高性能SiC SBD、MOSFET電力電子器件產品研制與應用驗證”項目實現(xiàn)了高性能SiC SBD 650V／150A、1200V／100A、1700V／50A、3300V／32A和5000V／3A 五個代表品種和SiC MOSFET 600V／5A、1200V／20A 和1700V／5A 三個代表品種，部分產品已應用于光伏逆變、軌道交通、電動汽車等領域。
經(jīng)質詢和討論，鑒定委員會認為該項目在高功率SiC器件結構設計、關鍵制造工藝和界面態(tài)控制等技術取得突破，器件性能達到國內領先、國際先進水平，成果已經(jīng)在地鐵車輛牽引系統(tǒng)運行6000公里，光伏電場掛機發(fā)電19．5MWh，混合動力城市客車運行9469公里，具有良好的社會和經(jīng)濟效益。鑒定委員會一致同意該項目成果通過科技成果鑒定。
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