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三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達1Tb

2017-08-10

相較于2.5寸SATA,M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢,如果總線走PCIe,速度上更是完爆。

在舊金山的閃存峰會上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達1Tb,用于消費級產(chǎn)品。

三星表示,今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品,即一整顆芯片封裝16Tb Die,繼續(xù)減小體積。

如此精巧之后,連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了,三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。

其中單面16TB的樣品三圍是30.5mm x 110mm x 4.38mm,當然這是極大值的情況。

按照三星的演示,典型的服務器可以塞入36張單面16TB NGSFF SSD,總存儲容量達到576TB。

當然,相較技術、容量本身的進步,用戶可能關注閃存第一廠何時能夠釋放更大的產(chǎn)能把SSD的價格降回去吧。

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