2017年的5月對于中國來說，注定不是一個平凡的5月。“一帶一路”國際合作高峰論壇在北京召開，中國再次成為全球矚目的焦點。

2017年的5月對于中國半導體產業來說，注定不是一個平凡的5月。

2017年5月23日，科技部會同北京市和上海市人民政府組織召開了國家科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”（簡稱集成電路專項）成果發布會。發布會介紹了集成電路專項實施取得的攻關成果及應用情況。

此次發布的專項成果包括9年來已研發成功并進入海內外市場的30多種高端裝備和上百種關鍵材料產品，面向全球開展服務的65至28納米產品工藝和高密度封裝集成技術成果。

過去九年中，在集成電路制造創新體系的引領帶動下，專項成績斐然，碩果累累：

北方華創通過近九年的科技攻關，完成了刻蝕機、磁控濺射、氧化爐、低壓化學氣相沉積、清洗機、原子層沉積等集成電路設備90/55/40/28納米工藝驗證，實現產業化。公司的刻蝕機等三大類集成電路設備進入14納米工藝驗證階段，首次實現與國外設備同步驗證。在02專項支持下，12英寸集成電路設備實現從無到有，批量銷售，成為公司的主要收入來源之一。

中微半導體通過先后承擔并圓滿完成65-45納米、32-22納米、22-14納米等三項等離子介質刻蝕設備產品研制和產業化的02專項任務，使我國在該項設備領域中的技術基本保持了與國際先進水平同步。中微半導體已經有460多個介質刻蝕反應臺在海內外27條生產線上高質穩定的生產了4000多萬片晶圓。中微半導體在臺積電的研發線上正在進行5納米的刻蝕開發和核準。中微半導體刻蝕設備材料國產化率達到35%，已開發了20多個國內的反應器和系統主機加工等供應廠商，加工能力和質量達到了國際先進水平，并成功迫使美國從瓦森納協定的軍民兩用出口限制清單中將刻蝕設備移除。

中芯國際產能和技術研發取得突破性進展，成套工藝水平由2008年的110納米提升到28納米，完成65-45-28納米成套工藝研發并實現量產；65/55納米產品累計銷售超過180億元，40/45納米產品累計銷售超過100億元；2015年32/28納米工藝開始量產高通驍龍系列產品，2016年28納米高K金屬柵工藝(HKMG)成功流片，并經聯芯4G移動終端CPU產品認證；14納米研發獲得突破；2017年聯合中科院微電子所等單位開始了“7-5納米集成電路先導工藝與系統集成新技術”的研發。

長電科技承擔重大專項五項，借助專項的實施，掌握了國際先進封裝技術，包括WLCSP、WAafer Bumping、FC、銅線工藝等十大封裝技術，成為全球最大的集成電路WLCSP封裝基地，同時也是全球第四大晶圓凸塊封裝基地；

晶方半導體專注于傳感器領域先進封測服務，為全球最大的晶圓級芯片尺寸封測服務商，是全球首家具備12英寸晶圓級芯片尺寸封裝量產能力的專業封測廠商 ，在傳感器領域擁有全球封裝量產最完整的專利布局。

江豐電子、安集微電子等公司的濺射靶材和拋光液等上百種關鍵材料通過大生產線考核進入批量銷售；

自主知識產權體系逐漸建立，集成電路專項已申請了2.3萬余項國內發明專利和2000多項國際發明專利，所形成的知識產權體系使國內企業在國際競爭中的實力和地位發生了巨大變化，掌握了發展的主動權，發展模式也從“引進消化吸收再創新”轉變為“自主研發為主加國際合作”的新模式。

在專項支持下，一批龍頭企業進入世界前列；一批骨干企業進入國際市場；一批企業成功上市，備受青睞。與此同時，國內企業應用專項成果研制出成套的LED和光伏制造裝備，使得我國LED和光伏等泛半導體產業綜合競爭力大幅躍升，產業規模和技術水平實現了國際領先。