3D 架構的 NAND 型快閃內存(Flash Memory)競爭越來越激烈，東芝(Toshiba)于去年 7 月宣布領先全球同業(yè)開始提供堆疊 64 層的 256Gb(32GB)3D Flash 的樣品出貨，之后三星于去年 8 月宣布，堆疊 64 層的 3D Flash 產品將在 2016 年 Q4(10-12月)開賣。而現在又換東芝出手，宣布容量提高 1 倍的 64 層 512Gb(64GB)3D Flash 已進行送樣，且將在今年下半年量產。
東芝 22 日發(fā)布新聞稿宣布，采用堆疊 64 層制程技術的 512Gb(64GB)3D Flash 已于 2 月上旬進行樣品出貨，且預計將在 2017 年下半年進行量產，主要用于搶攻數據中心 / PC 用 SSD等市場。另外，堆疊 16 片 512Gb 芯片、實現業(yè)界最大容量 1TB 的產品預計將在今年 4 月進行樣品出貨
東芝表示，和 48 層 256Gb 產品相比，64 層 512Gb 產品每單位面積的記憶容量擴大至約 1.65 倍，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加，每 bit 成本也下滑。
產經新聞報導，據東芝指出，東芝是全球第一家提供 64 層 512Gb 3D Flash 樣品的廠商;東芝已于今年 1 月量產 64 層 256Gb 3D Flash 產品。
報導指出，東芝推出 512Gb 產品，就是要用來對抗三星等競爭對手，而韓國 SK Hynix 則計劃在今年下半年量產 72 層產品，研發(fā)競爭益發(fā)激烈。
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