L頻段和S頻段功率放大器可顯著提升性能，同時(shí)降低系統(tǒng)成本

　　中國，北京 – 2016年10月21日 – 實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布，推出兩款全新的功率放大器（PA），包括可以在內(nèi)部匹配50Ω的行業(yè)首款500W L頻段PA和一款450W S頻段PA。這些高功率設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化可用于國防和民用雷達(dá)系統(tǒng)，其功能經(jīng)過設(shè)計(jì)可縮短并簡化系統(tǒng)部署。

　　全新QPD1003采用Qorvo高性能氮化鎵（GaN）技術(shù)，可滿足在1.2至1.4 GHz頻率范圍內(nèi)工作的有源電子掃描陣列（AESA）雷達(dá)等高功率相位陣列的性能需求。這些系統(tǒng)要求PA以最大效率工作，從而在嚴(yán)苛的環(huán)境條件下降低熱量生成。全新QPD1003可通過創(chuàng)新應(yīng)用高效的碳化硅基氮化鎵（SiC）技術(shù)來應(yīng)對這些要求。

　　Qorvo高性能解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Roger Hall表示：“這是首款也是唯一一款用于AESA雷達(dá)的緊湊型、內(nèi)部匹配的高功率L頻段PA。其突破性技術(shù)將為客戶帶來可觀的成本優(yōu)勢和性能提升。”

　　除了QPD1003 L頻段PA，Qorvo還發(fā)布了一款450W S頻段PA，設(shè)計(jì)用于3.1至3.5 GHz S頻段雷達(dá)系統(tǒng)。這兩款器件相對傳統(tǒng)GaN晶體管而言，都具備尺寸更小和實(shí)施簡單的優(yōu)勢。它們可以通過一個(gè)匹配設(shè)計(jì)覆蓋多個(gè)頻段，從而減少用于數(shù)千瓦陣列時(shí)的電路占位面積和總體復(fù)雜性。此外，降低功耗還可降低系統(tǒng)的冷卻需求，從而進(jìn)一步減少系統(tǒng)操作。

　　這兩款全新PA支持脈沖和線性操作，采用適合國防和民用雷達(dá)應(yīng)用的氣腔封裝。下表簡要介紹了這兩款PA的特性。

　　欲了解有關(guān)Qorvo任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用解決方案的更多信息，請?jiān)L問：www.qorvo.com/defense。

　　Qorvo是國防和有線行業(yè)的領(lǐng)先GaN RF供應(yīng)商*。自1999年起，Qorvo就一直在推動(dòng)GaN研究和創(chuàng)新，提供經(jīng)過檢驗(yàn)的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產(chǎn)品。Qorvo于2014年完成了國防生產(chǎn)法標(biāo)題III的GaN on SiC計(jì)劃，是獲得國防制造電子機(jī)構(gòu)認(rèn)證的1A類可信來源。公司還是唯一一家達(dá)到制造成熟度（MRL）9級的GaN供應(yīng)商。Qorvo一直推動(dòng)GaN產(chǎn)品的下一代系統(tǒng)創(chuàng)新（從直流到Ka頻段），提供可靠的性能、低維護(hù)和長運(yùn)行壽命。