晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。

電流放大系數

　　電流放大系數也稱電流放大倍數，用來表示晶體管放大能力。

　　根據晶體管工作狀態(tài)的不同，電流放大系數又分為直流電流放大系數和交流電流放大系數。

　　1.直流電流放大系數  直流電流放大系數也稱靜態(tài)電流放大系數或直流放大倍數，是指在靜態(tài)無變化信號輸入時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。

　　2.交流電流放大系數  交流電流放大系數也稱動態(tài)電流放大系數或交流放大倍數，是指在交流狀態(tài)下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。

　　hFE或β既有區(qū)別又關系密切，兩個參數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。　　

耗散功率

　　耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。

　　耗散功率與晶體管的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。

　　通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。　　

頻率特性

PNP型?NPN型晶體管回路記號

 　晶體管的電流放大系數與工作頻率有關。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會出現(xiàn)放大能力減弱甚至失去放大作用。

　　晶體管的頻率特性參數主要包括特征頻率fT和最高振蕩頻率fM等。

　　1.特征頻率fT  晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大系數β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時晶體管的工作頻率。

　　通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱為低頻管，將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻管，將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱為中頻管。

　　2.最高振蕩頻率fM  最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時所對應的頻率。

　　通常，高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα，而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。　

集電極最大電流ICM

　　集電極最大電流是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數將發(fā)生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。　

最大反向電壓

　　最大反向電壓是指晶體管在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。

　　1.集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓  該電壓是指當晶體管基極開路時，其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。

　　2.集電極—基極反向擊穿電壓  該電壓是指當晶體管發(fā)射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。

　　3.發(fā)射極—基極反向擊穿電壓  該電壓是指當晶體管的集電極開路時，其發(fā)射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。　

反向電流

　　晶體管的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO。

　　1.集電極—基極之間的反向電流ICBO  ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當晶體管的發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。

　　2.集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO  ICEO是指當晶體管的基極開路時，其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。