據(jù)韓媒BusinessKorea報道，IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱，兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存，有望成為目前DRAM內(nèi)存的最實際接替者。
DRAM，即動態(tài)隨機存取存儲器，目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下，因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。
另外，新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電，理論性能也將超越DRAM。
業(yè)界認為，這可能是目前DRAM的最佳接替者，因為95%的DRAM制造設(shè)施都可以用于接下來的STT-MRAM的生產(chǎn)，這將大大降低成本并縮短換代周期。
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