在《國家集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、《中國制造2025》等一系列政策計(jì)劃的落實(shí)和集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的大力投入之下，已為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)在市場、政策及資金等方面奠定良好的基礎(chǔ)，故2015至2016年中國半導(dǎo)體行業(yè)將以存儲(chǔ)器為發(fā)展重點(diǎn)，最主要是存儲(chǔ)器與微處理器是發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)不能或缺的領(lǐng)域。

　 　特別是存儲(chǔ)器的發(fā)展不僅是因?yàn)槠涮幱诩呻娐樊a(chǎn)業(yè)的核心地位，更是基于信息安全的考慮，主要是因?yàn)槲ㄓ性诖鎯?chǔ)器、CPU等核心芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控能力 （包括核心技術(shù)、關(guān)鍵零部件、各類軟件全部國產(chǎn)化，自己開發(fā)和制造），才能確保國防與信息安全，更何況存儲(chǔ)器將在新一代信息技術(shù)如物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云端運(yùn) 算等中扮演重要的角色。

　　事實(shí)上，有鑒于中國智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、智能可穿戴設(shè)備、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品在全球的地位穩(wěn)步提升，對DRAM、NAND Flash等存儲(chǔ)器的市場需求也隨之提升，預(yù)計(jì)2016年中國大陸存儲(chǔ)器所需的市場規(guī)模將達(dá)到近2800億人民幣，但目前大陸自給率幾乎為零，反映未來進(jìn)口替代空間大，此成為中國切入存儲(chǔ)器市場最大的優(yōu)勢。

　　中國發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)尚有國家戰(zhàn)略、各項(xiàng)配套做為支撐，其中除官方將主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)垂直整合，也就是企業(yè)間將通過共同研發(fā)、平臺共享、供銷協(xié)議等方式加強(qiáng)聯(lián)系、共同分擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)之外，更是積極挖角國際級的存儲(chǔ)器管理人才。

　 　至于廠商的發(fā)展動(dòng)態(tài)方面，除武漢新芯宣布進(jìn)軍NAND領(lǐng)域，計(jì)劃推出3D-NAND產(chǎn)品拉近與國際大廠的距離之外，聯(lián)電也將與晉江市政府合作，打造中國 的DRAM產(chǎn)業(yè)，并以利基型存儲(chǔ)器作為切入點(diǎn)，而未來聯(lián)電初期將以臺灣作為研發(fā)基地，南科則成聯(lián)電與晉江合作案的研發(fā)重鎮(zhèn)，顯示聯(lián)電布局中國市場相當(dāng)積 極，而晉江政府在中國政府的政策與資金支持，并借助聯(lián)電與南科的技術(shù)優(yōu)勢、人才經(jīng)驗(yàn)，打造另類兩岸合作DRAM事業(yè)模式。

　　借由上述可知，大陸在不久的將來將開始加入技術(shù)專利壟斷、市場寡頭成型、產(chǎn)業(yè)投資巨大、周期性波動(dòng)劇烈的全球存儲(chǔ)器競爭行業(yè)中，來實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)技術(shù)及產(chǎn)品的自主可控能力，也使全球存儲(chǔ)器市場供需與競爭態(tài)勢增添不確定因素。

　 　值得注意的是，由于全球NAND Flash當(dāng)前仍是由國際大廠所掌握，也布下綿密的專利網(wǎng)，因此在武漢新芯、同方國芯、萬億基科技（合肥Elpida）尚未取得上述主要國際大廠的技術(shù)授 權(quán)合作，僅有武漢新芯在2015年初與Spansion合作，展開3D NAND Flash技術(shù)開發(fā)，目前已完成8層NAND Flash芯片之下，未來中國能否順利從3D NAND Flash切入來架構(gòu)整體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，仍有待考驗(yàn)。