2016年1月4日消息，CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET——C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，該n溝道增強(qiáng)型功率器件還對(duì)高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠?qū)崿F(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，并大幅降低了系統(tǒng)成本。
C3M0065090J突破了電力設(shè)備技術(shù)，是開(kāi)關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽(yáng)能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應(yīng)用等的電源管理解決方案。
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