為維持市場競爭力，各大半導體廠商無不砸下重本投資研發。根據市場研究機構SemicoResearch統計，2015年半導體廠的總資本支出額預估可達687億美元，較2014年的633億成長9%，并打破2011年638億美元的記錄。

　　SemicoResearch技術研究總監AdrienneDowney指出，2015年半導體總資本支出額的90%來自十五間主要大廠。前五名成員與2014年相同，唯順序更動。三星(Samsung)蟬聯第一，臺積電躍升第二，去年亞軍英特爾(Intel)則退居第三。海力士(Hynix)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)在2014年各為第四及第五名，今年則因格羅方德投資額增加22%而名次互調。

　　前十五大廠商中，投資額成長幅度最高的是索尼(Sony)的207%，總額約20億美元。大部分的資本支出都投入在提升影像感測器(ImageSensor)產能上，有些則投入在索尼相對陌生的相機模組(CameraModule)產能上。索尼的資本支出成長額僅次于三星，其中日幣貶值是部分因素。

　　資本支出排名第一的三星，先前在2014年10月簽署合作備忘錄(MOU)計畫新建晶圓廠，今年5月7日的動工儀式上更宣布投資143億美元，預計廠房將于2017年啟用并在上半年開始上線生產。三星期望該廠能達到業界最高產能，廠址面積約79萬平方公尺。

　　Downey表示，針對該廠制造的產品三星并不愿透露太多，僅稱將主打手機、伺服器以及物聯網(IoT)市場，推論可能包括手機及伺服器動態隨機存取記憶體(DRAM)，以及感測器或處理器晶片。

　　排名第二的臺積電，今年成功量產16奈米制程，大幅提升資本效益，使得2015年的資本支出減少10億美元，總額降至108億美元。即便如此，臺積電今年支出總額仍大幅高于排名第三的英特爾。

　　由于良率和產能利用率改善，英特爾2015年的資本支出額較去年少10億美元，來到87億美元。英特爾表示，資本支出縮減情形對該公司而言并非第一次發生，位于美國亞利桑那州的Fab42廠自2014年1月以來毫無啟用消息即是明顯證明。

　　至于格羅方德，2015年增加約10億美元的資本支出，幾乎全數投入紐約廠的14奈米制程。

　　另值得注意的是，中國大陸晶圓代工廠中芯國際(SMIC)將于2015下半年新增兩間晶圓廠。其位于北京的300毫米B2廠正著手40奈米與28奈米制程，設備完善后將能達成35,000片的月產能。中芯國際同樣也在深圳廠增加20,000片8寸晶圓的月產能。最初的10,000片月產能將在2015年第三季進行商業生產，另一半則會在2015年底加入。

　　中芯國際高層預估8寸晶圓的產能將持續短缺，此波增量因此會持續到2016年。中芯國際今年總資本支出成長50%來到15億美元，其中8億元將會投入北京廠的12寸晶圓產能;其余部分則會投入到深圳廠的8寸晶圓產能。