三星電子（Samsung Electronics Co.）開(kāi)發(fā)制程技術(shù)的速度實(shí)在不容小覷。三星才剛在數(shù)個(gè)月前開(kāi)始為移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)研發(fā) 14 納米 FinFET 系統(tǒng)單芯片（SoC），并打算將這些 SoC 應(yīng)用在三星自身的 Galaxy S6、Galaxy S6 Edge 智能手機(jī)，連蘋(píng)果（Apple Inc.）A9 處理器傳出也有機(jī)會(huì)采用三星制程。
雖然14 納米制程已是相當(dāng)新穎的科技，但三星卻還是馬不停蹄，近日已在舊金山展示了全球首見(jiàn)專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的10 納米 FinFET 半導(dǎo)體制程，驚艷全場(chǎng)。
VR- Zone、G 4 Games 25 日引述 ZDNet Korea 報(bào)導(dǎo)，三星電子在舊金山于 2 月 22-26 日舉辦的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（International Solid State Circuit Conference，ISSCC）上展示了全球首見(jiàn)的 10 納米 FinFET 半導(dǎo)體制程，有望搶在英特爾（Intel Corp.）之前制造出第一款 10 納米行動(dòng)芯片組。
三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部總裁 Kim Ki-nam 在展場(chǎng)中表示，采用 10 納米 FinFET 制程技術(shù)的芯片不但更加省電、體積也更小，是物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things，IoT）演化進(jìn)程中相當(dāng)重要的一步。除了 10 納米制程技術(shù)之外，Kim 也談?wù)摿?0納米的DRAM與 3D V-NAND 科技。
根據(jù)報(bào)導(dǎo)，目前還無(wú)法確定消費(fèi)性電子產(chǎn)品何時(shí)才會(huì)導(dǎo)入這種最新的半導(dǎo)體制程技術(shù)，也許要到 2017 年才有可能。
三星是第一家導(dǎo)入14 納米制程技術(shù)的芯片業(yè)者，今年推出了14 納米的 Exynos 7420 處理器，擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。高通（Qualcomm）的最新“Snapdragon 810”處理器采用的仍是 20 納米制程技術(shù)。
日本蘋(píng)果情報(bào)網(wǎng)站 iPhone Mania 1 月 15 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，熟知蘋(píng)果動(dòng)向的凱基證券（KGI Securities）發(fā)表研究報(bào)告指出，蘋(píng)果將在今后 1 年或 2 年內(nèi)在 Mac 筆電上搭載自家行動(dòng)處理器“A10X”；A10X 將采用 10 納米 FinFET，預(yù)計(jì)于2016年量產(chǎn)，將由三星吃下100%訂單。