不久前，意法半導(dǎo)體宣布推出采用Cortex-M7的最高性能stm32f7-pr">STM32 F7新系列微控制器，STM32F7新系列微控制器的工作頻率高達200MHz，采用6級超標量流水線和浮點單元(Floating Point Unit，F(xiàn)PU)，測試分數(shù)高達1000 CoreMark。
采用意法半導(dǎo)體的經(jīng)過制造檢驗的穩(wěn)健的90納米嵌入式非易失性存儲器CMOS制造工藝，而這樣使得新的微控制器可以快速面市并且擁有最佳的性能價比。
超出人們預(yù)期的是，STM32F7雖然性能提高了，但是能效并沒有影響。盡管功能更多，新系列運行模式和低功耗模式（停止、待機和VBAT）的功耗與STM32F4保在同一水平線上：工作模式能效為7 CoreMarks/mW；在低功耗模式下，當上下文和SRAM內(nèi)容全都保存時，典型功耗最低120 uA；典型待機功耗為1.7uA；VBAT模式典型功耗為0.1uA。
針對STM32F7能夠?qū)崿F(xiàn)上述高性能和低功耗的技術(shù)細節(jié)，意法半導(dǎo)體微控制器市場總監(jiān)DANIEL COLONNA在北京的新聞發(fā)布會上做了詳細的批露。
1、AnAXI和先進高性能總線矩陣(Multi-AHB, Advanced High-performance Bus)，內(nèi)置雙通用直接訪存(DMA)控制器和以太網(wǎng)、通用串行總線On-the-Go 高速(USB OTG HS, Universal Serial Bus On-the Go High Speed)和Chrom-ARTAccelerator™圖形硬件加速等設(shè)備專用DMA控制器；2、采用512KB和1MB嵌入式閃存，可滿足應(yīng)用對大容量代碼存儲需求；
3、大容量分布式架構(gòu)SRAM：在總線矩陣上有320KB共享數(shù)據(jù)存儲容量（包括240KB +16KB）和保存實時數(shù)據(jù)的64KB緊耦合存儲器(TCM, Tightly-Coupled Memory)數(shù)據(jù)RAM存儲器；保存關(guān)鍵程序的16KB指令TCM RAM存儲器；在低功耗模式下保存數(shù)據(jù)的4KB備份SRAM存儲器；
4、STM32 F7外設(shè)還包括一個獨立的時鐘域，可在不影響通信速度的情況下讓開發(fā)人員修改系統(tǒng)時鐘速度；
5、靈活的內(nèi)置32位數(shù)據(jù)總線的外存控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存儲器；
6、即便引腳數(shù)量少的封裝也提供雙/四路SPI接口，以低成本方式擴展存儲容量；
7、基于現(xiàn)有的STM32 F4系列指令集，僅提供單周期乘法累加(MAC)指令，提供單指令多數(shù)據(jù)流(SIMD)指令，該指令計算32位字內(nèi)的8位和16位值。
上述7大技術(shù)細節(jié)，使得STM32F7系列微控制器可以穩(wěn)坐M系列微控制器最高性能的頭把交椅。