致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣柵雙極晶體管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPT IGBT產(chǎn)品系列專為嚴苛環(huán)境工作而設計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業(yè)產(chǎn)品。

美高森美新的功率器件通過提供業(yè)界最佳的損耗性能來改進效率，與最接近競爭廠商的IGBT產(chǎn)品相比，效率提高了大約8%。新的NPT IGBT器件還能夠?qū)崿F(xiàn)高達150 kHz的極高開關速率，在與美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)續(xù)流二極管(free-wheeling diode)配對使用時，開關速率可以獲得進一步提高。針對最高150 KHz的較低速率應用，這些領先的650V NPT IGBT通過替代成本更高的600V至650V MOSFET器件，可讓開發(fā)人員降低總體系統(tǒng)成本。

下一代650V產(chǎn)品系列中的所有器件都基于美高森美先進的Power MOS 8^™ 技術，并且采用了最先進的晶圓薄化(wafer thinning)工藝。與競爭解決方案相比，顯著降低了總體開關損耗，并且可讓器件在難以置信的快速開關頻率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市場的豐富傳統(tǒng)，美高森美期望擴大IGBT市場份額，根據(jù)Yole Développement最新報告，這個市場正從現(xiàn)今的36億美元增長到2018年的60億美元。

這些NPT IGBT器件易于并聯(lián)(Vcesat正溫度系數(shù))，可以提升大電流模塊的可靠性。它們還具有額定短路耐受時間(short circuit withstand time rated, SCWT)，可以在嚴苛的工業(yè)環(huán)境中可靠運作。

新的IGBT器件備有各種封裝，包括TO-247、T-MAX和模塊。要了解更多信息或獲取樣品，請聯(lián)絡當?shù)胤咒N商或美高森美銷售代表，或發(fā)送電子郵件到sales.support@microsemi.com。要了解更多的生產(chǎn)信息，請訪問公司網(wǎng)站www.microsemi.com。

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美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 為通信、國防與安全、航天與工業(yè)提供綜合性半導體與系統(tǒng)解決方案，產(chǎn)品包括高性能、耐輻射的高可靠性模擬和射頻器件，可編程邏輯器件(FPGA)可定制單芯片系統(tǒng)(SoC) 與專用集成電路(ASIC)；功率管理產(chǎn)品、時鐘與語音處理器件，RF解決方案；分立組件；安全技術和可擴展反篡改產(chǎn)品；以太網(wǎng)供電(PoE)IC與電源中跨(Midspan)產(chǎn)品；以及定制設計能力與服務。美高森美總部設于美國加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數(shù)約3,000人。欲獲取更詳盡信息，請訪問網(wǎng)站：http://www.microsemi.com。