日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動器。LM5114 可驅(qū)動同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器等低側(cè)應(yīng)用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業(yè)界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅(qū)動器 LM5113，可為高性能電信、網(wǎng)絡(luò)以及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換驅(qū)動器解決方案。如欲了解詳情或訂購樣片與評估板，敬請訪問：www.ti.com/gan-pr。
　　
　　LM5114 可通過 5 V 電源電壓的獨立源極與汲極輸出（sink and source output）驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 與 GaN FET。它具有使用較大或并行 FET 的大功率應(yīng)用中所需的 7.6 A 高峰值關(guān)斷電流功能。此外，提高的下拉強(qiáng)度還有助于該器件驅(qū)動 GaN FET。獨立源極與汲極輸出可取消驅(qū)動器路徑中的二極管，準(zhǔn)確控制升降時間。
　　
　　LM5114 低側(cè)柵極驅(qū)動器的主要特性與優(yōu)勢：
　　•可優(yōu)化升降時間的獨立源極與汲極輸出支持更高的效率；
　　•+4 V 至 +12.6 V 單電源支持各種應(yīng)用；
　　•0.23 歐姆的開漏下拉汲極輸出可避免無意接通；
　　•7.6 A/1.3 A 峰值汲極／源極驅(qū)動器電流可最大限度減少電壓突變(DV/DT)的影響；
　　•匹配反相及非反相輸入之間的延遲時間，可降低停滯時間損耗；
　　•12 ns 典型傳播延遲可在提高效率的同時，支持高開關(guān)頻率；
　　•高達(dá) 14 V 的邏輯輸入（不受 VCC 影響）；
　　•-40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度。
　　 
供貨情況與封裝
　　LM5114 現(xiàn)已開始批量供貨，可通過 TI 及其授權(quán)分銷商進(jìn)行訂購。該器件采用 6 引腳 SOT-23 封裝或裸焊盤 6 引腳 LLP 封裝。
　　
　　了解有關(guān) TI 電源管理產(chǎn)品系列的更多詳情：
　　•訂購最新 GaN FET 驅(qū)動器的樣片與評估板：www.ti.com/lm5114-prcn ；
　　•全面了解所有 TI GaN FET 驅(qū)動器解決方案：www.ti.com/gan-pr；
　　•觀看 LM5113 的實驗室演示：http://www.ti.com/lm5113-prv；
　　•通過 德州儀器在線技術(shù)支持社區(qū)咨詢問題： www.deyisupport.com。
　　
商標(biāo)
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