世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片，新產品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環、低功耗和無延遲(NoDelay™ )寫入特性。
　　
　　FM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM存儲器，能夠以高達20MHz的總線速度進行寫操作，具有行業標準串行外設接口(SPI)。F-RAM存儲器陣列在接收到數據后，立即將數據寫入存儲器，不同于需要數據輪詢的EEPROM和其它非易失性存儲器，F-RAM存儲器可以立即開始下一個總線周期，這些特性使得Ramtron最新的串口F-RAM存儲器非常適合需要頻繁和快速寫入的非易失性存儲器應用，包括工業控制和高速數據采集等應用。
　　
關于FM25xxxC系列
　　
　　Ramtron公司FM25xxxC系列器件具有一個串行SPI接口，工作電壓為5V，在-40°C 至 +85°C的全工業溫度范圍內。此外，FM25xxxC系列產品還具有低功耗特性，當時鐘頻率為1MHz時,工作電流約為250uA。以及復雜的寫入保護機制，可以防止無意的存儲器數據寫入。全系列器件均采用工業標準8腳“綠色”RoHS兼容SOIC封裝。除FM25xxxC系列之外，Ramtron還提供I2C接口的FM24xxxC系列串口存儲器樣片，包括4Kb、16Kb和64Kb容量。
　　
關于Ramtron公司和F-RAM技術
　　
　　Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)公司總部設在美國科羅拉多州科羅拉多斯普林斯，是一家無晶圓廠半導體公司，設計、開發和銷售用于世界范圍之廣泛產品應用及市場的專業半導體存儲器和集成半導體解決方案。
　　
　　Ramtron是在半導體產品中采用鐵電材料的先驅企業，開發了新類型非易失性存儲器，稱作鐵電隨機存取存儲器即F-RAM。Ramtron的鐵電存儲器結合了動態隨機存取存儲器 (DRAM) 的高速度和非易失性數據儲存特性，即無電存儲數據的能力。自從這項技術商業化以來，Ramtron已經在嚴苛的應用領域銷售了數億個F-RAM器件，包括汽車安全和娛樂系統、便攜式醫療設備、工業過程控制系統、智能電表和消費打印機墨盒。F-RAM技術是市場上功效最高的非易失性存儲器技術，有望為超高效電池供電產品和能量收集應用的開發鋪平道路。要了解更多的信息，請訪問公司網站www.ramtron.com。
　　
安全規避聲明
　　以下為依照美國私人證券法1995年修訂案規定而發出的“安全規避”聲明：本文中所有還不是歷史事實的聲明均為“前瞻性聲明”，這些“前瞻性聲明”可能涉及風險、不確定性和假設，而實際的結果或成果也可能與這些前瞻性聲明的預計結果出現重大的差異。如要探討這些風險，請參考Ramtron提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件。本新聞稿中的前瞻性聲明是在新聞稿的日期所做出的，Ramtron明確表示沒有任何更新或修改此處前瞻性聲明的義務或職責。