《電子技術(shù)應用》
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半導體特性分析儀和脈沖產(chǎn)生器測量電荷泵
摘要: 電荷泵測量方法廣泛應用于MOSFET元件的介面態(tài)密度測量。隨著高介電常數(shù)(高)閘極材料的發(fā)展,已證明電荷泵對高薄閘極薄膜中電荷陷阱現(xiàn)象的測量極為有效。可以採用電荷泵測量方法來擷取介面陷阱密度,閘極漏電流的影響可以通過以下方法來解決:即測量較低頻率上的電荷泵電流并在更高頻率下獲得的測量結(jié)果中減去這一數(shù)據(jù)。
Abstract:
Key words :

電荷泵技術(shù)概述

電荷泵測量方法廣泛應用于MOSFET元件的介面態(tài)密度測量。隨著高介電常數(shù)(高)閘極材料的發(fā)展,已證明電荷泵對高薄閘極薄膜中電荷陷阱現(xiàn)象的測量極為有效。可以採用電荷泵測量方法來擷取介面陷阱密度,閘極漏電流的影響可以通過以下方法來解決:即測量較低頻率上的電荷泵電流并在更高頻率下獲得的測量結(jié)果中減去這一數(shù)據(jù)。

基本的電荷泵測量方法需要在測量底板電流的同時,向源極、漏極和基極都接地的電晶體的閘極施加一個幅值、上升時間、下降時間和頻率固定的電壓脈衝。施加脈衝的掃描方式可以是幅值固定情況下的電壓基掃描,或是電壓基固定而讓幅值掃描。

在電壓基掃描模式下,脈衝的幅值和週期(寬度)固定,而讓脈衝的基礎(chǔ)電壓掃描(圖1a)。對應每個基電壓,測量相應的體電流并繪製出其隨基電壓變化的曲線。基于如下公式,可以獲得介面陷阱密度()隨能帶彎曲變化的函數(shù)關(guān)係:

圖1:電荷泵測量技術(shù)概述。

公式中,是測量到的電荷泵電流,是基本電子電荷,是面積,是頻率,是逆費米能級(inversion Fermi level)和累積費米能級(accumulation Fermi level)的差值。

固定電壓基、幅值掃描方法則是讓基電壓和脈衝頻率固定,而讓電壓幅值進行步進變化(圖1b)。所獲得的資訊類似于從電壓基掃描中擷取出的資訊。這些測量也可以在不同頻率下執(zhí)行,以獲得介面陷阱的頻率響應特性。

DUT與4200-SCS和脈衝產(chǎn)生器的連接

圖2:DUT與4200-SCS和脈衝產(chǎn)生器的連接。

硬體設置

結(jié)合吉時利4200-SCS半導體特性測試系統(tǒng)和吉時利3400系列脈衝/模式產(chǎn)生器,可以讓電荷泵測量和數(shù)據(jù)分析變得簡單易行。借助簡單的C編程經(jīng)GPIB,在4200-SCS上執(zhí)行吉時利互動式平臺測試軟體(KITE)可以同時控制系統(tǒng)內(nèi)建的訊號源-測量單元(SMU)和外部儀器。請參閱吉時利4200-SCS的參考手冊和吉時利應用指南,以獲得關(guān)于使用4200-SCS和KTE交互軟體的指導。圖2a示出了在不使用開關(guān)陣列的情況下,4200-SCS的某個SMU和3402型脈衝產(chǎn)生器與待測元件(DUT)間的連接關(guān)係;在圖2b中,配置中包含了一個半導體開關(guān)陣列。下面將介紹如何利用吉時利4200-SCS和3400系列脈衝/模式產(chǎn)生器執(zhí)行電荷泵測量。

吉時利配置程式(KCON)設置

KCON是通過GPIB通訊來控制4200-SCS的內(nèi)部硬體(SMU和前置放大器)和外部儀器的軟體介面,第一步是向KCON輸入恰當?shù)拿}衝產(chǎn)生器的型號編碼(必要時還需輸入開關(guān)陣列的型號編碼)。只需雙擊4200-SCS桌面上的KCON圖標即可存取KCON。接著,從Tools選單中,選中Add external Instruments > Pulse Generator >Keithley 3401或3402 Pulse/Pattern Generator。圖3顯示出添加了該脈衝產(chǎn)生器后的KCON窗口。如果所採用的脈衝產(chǎn)生器的型號未包含在所支援的型號的列表中,則在KCON中應該將其作為‘通用儀器(GPI)’而非‘脈衝產(chǎn)生器(GPU)’添加。添加脈衝產(chǎn)生器后,KCON可以為脈衝產(chǎn)生器分配一個儀器ID字符串。該ID字符串可以寫作PGUx或GPIxI,具體取決于脈衝產(chǎn)生器是以何種方式添加的(脈衝產(chǎn)生器單元或是通用儀器),x可以是1~4之間的任何一個數(shù)字。該ID將作為電荷泵測量的一個輸入?yún)?shù),為KITE軟體提供GPIB上的儀器類型及其地址。

圖3:KCON設置窗口。

在KITE中設立一個計畫

KITE是通過GPIB來控制內(nèi)部硬體和外部儀器的主要軟體介面。通過一個UTM(用戶測試模組)在KITE介面上實施電荷泵測量。

雙擊4200-SCS桌面的KITE圖標,啟動KITE介面。從Menu圖形條中選擇File > New project,并鍵入計畫名稱。然后再次點選Menu圖形條選擇Project > Make new subsite plan并鍵入一個有效的subsite名稱。接下來,點選Menu圖形條,選中Project > Make new device plan,并從MOSFET文件夾中選擇一種元件。最后,點選Menu圖形條,點選Project > Make new User Test Module,輸入模組名稱(例如,BaseSweep),并點選OK。雙擊計畫樹中的BaseSweep模組,將彈出一個設置窗口。該設置窗口中,在下拉的庫列表中選中用戶庫ChargePumping,并從User Module列表中選中模組BaseSweep。選中該模組后,將彈出一個參數(shù)窗口,如圖4所示。在列表中,第一個參數(shù)是PGUId,即KCON的ID。使用恰當?shù)腉PIB地址與脈衝產(chǎn)生器進行通訊。在參數(shù)列表中填寫恰當?shù)脑O置參數(shù),如開關(guān)連接(如果無開關(guān),則在GatePin、BulkPin、SourcePin和DrainPin等域中填寫0)、頻率、脈衝幅值和占空比。恰當定義所有的輸入?yún)?shù)后,點選Save按鈕(小的軟磁碟圖表),則做好測試執(zhí)行準備了。點選Run按鈕(綠色的叁角形圖表)即可執(zhí)行測試。一旦測量完畢,其數(shù)據(jù)可以繪製為圖形。圖5示出了該圖形的兩個示例。

圖4:KITE計畫窗口。

圖5:數(shù)據(jù)圖形示例。

運算

吉時利4200-SCS的Formulator功能支援運算。為了啟動Formulator窗口,點選某個測試設置窗口definition圖標中的Formulator按鈕。如圖6所示的那樣輸入的運算公式。所運算出的量值,可以用系統(tǒng)的圖形繪製功能繪製成圖線。

圖6:在Formulator窗口中輸入公式。

本文小結(jié)

通過電流驅(qū)動器,用戶無需完成任何編程工作,就可以通過一個吉時利3400系列脈衝/模式產(chǎn)生器(還可以與安捷倫81110A/8111A一起使用)完成電荷泵測量。在內(nèi)建的Formulator中可以完成簡單的數(shù)據(jù)分析,并用其強大的繪圖工具繪製出相應的曲線。

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